二极管阵列

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不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
8 µA @ 90 V700 µA @ 120 V
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二极管配置
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
工作温度 - 结
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-220AB
V20120C-E3/4W
DIODE ARR SCHOT 120V 10A TO220-3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
3,938
现货
1 : ¥12.23000
管件
管件
在售1 对共阴极肖特基120 V10A900 mV @ 10 A快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）700 µA @ 120 V-40°C ~ 150°C通孔TO-220-3TO-220-3
TO-220AB
V20120C-M3/4W
DIODE ARR SCHOT 120V 10A TO220-3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
0
现货
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8,000 : ¥5.31395
管件
管件
在售1 对共阴极肖特基120 V10A900 mV @ 10 A快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）700 µA @ 120 V-40°C ~ 150°C通孔TO-220-3TO-220-3
TO-220AB
V20120CHM3/4W
DIODE ARR SCHOT 120V 10A TO220-3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
0
现货
停产
管件
停产1 对共阴极肖特基120 V10A900 mV @ 10 A快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）8 µA @ 90 V-40°C ~ 150°C通孔TO-220-3TO-220-3
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二极管阵列

二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。