STMicroelectronics

L6384E 高电压器件

STMicroelectronics 的高电压半桥驱动器

STMicroelectronics 的 L6384E 高电压器件图片STMicroelectronics 的 L6384E 是一款采用 BCD "OFF-LINE" 技术制造的高电压器件。 采用半桥驱动器结构，可驱动 N 沟道功率 MOS 或 IGBT。 高压侧（浮动）部分使该器件能与高达 600 V 电压轨一起工作。逻辑输入兼容 CMOS/TTL，方便连接控制设备。 低压侧和高压侧之间匹配延迟简化了高频率工作。 通过外部电阻器可随时设置空载时间。

特性
  • 高电压轨高达 600 V
  • 在整个温度范围内具有 ±50 V/ns 的 ±dV/dt 抗扰度
  • 驱动器电流能力：
    • 400 mA 拉出电流
    • 650 mA 灌入电流
  • 1 nF 负载条件下 50/30 ns 上升/下降开关时间
  • CMOS/TTL 施密特触发器输入，具有滞后和下拉
  • 关闭输入
  • 空载时间设置
  • 欠压锁定
  • 集成自举二极管
  • 箝位 VCC
  • SO-8/DIP-8 封装

L6384E High Voltage Device

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6384ED013TRIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO13607 - 立即发货
1 : ¥12.98
剪切带（CT）
2500 : ¥6.47
卷带（TR）
1 : ¥12.98
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPL6384EIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期： 2013-07-02