FS-S 1.8 V 串行闪存存储器

Infineon 利用 80 MHz DDR 四通道 I/O SPI 实现了业内领先的 80 MB/s 读取吞吐量

Infineon 的 FS-S 1.8 V 串行闪存存储器Infineon® FS-S 系列串行闪存存储器采用高密度串行外设接口 (SPI) 闪存,可支持更少的引脚并实现了更低的系统总成本以及业内最快的读/写性能。 这些优势以及灵活的扇区架构,使 Infineon FS 系列凭借超越传统并行 I/O NOR 闪存存储器的性能,成为大量工业、消费电子、网络、汽车应用的理想解决方案。 Infineon FS-S SPI 系列具有增强的特性组合,提高了读/写性能和功能级别,因此能以高达 80 Mb/s 的速度进行数据有效传输,同时保持向后与传统解决方案兼容,实现轻松迁移。

支持传统的 SPI 单位串行输入和输出(单通道 I/O 或 SIO),以及可选的二位(双通道 I/O 或 DIO)和四位(四通道 I/O 或 QIO)串行命令。 这种多宽度接口被称作 SPI 多通道 I/O 或 MIO。 此外,FS-S 系列增加了针对 SIO、DIO 和 QIO 的双数据速率 (DDR) 读取命令支持功能,可在两个时钟边缘传输地址和读取数据。

该系列采用了页编程缓冲器,允许在一次操作中对高达 128 字(256 字节)或 256 字(512 字节)进行编程,从而实现比前代 SPI 程序或擦除算法更快的有效编程和擦除操作。

能在所支持的较高时钟速率下,使用 Infineon FS-S 器件和 QIO 或 DDR-QIO 命令直接从闪存执行代码。 指令读取传输速率超过了传统的并行接口、异步、NOR 闪存存储器,同时还能显著减少信号数量。

FS-S 串行闪存产品密度高,拥有各种不同嵌入式应用要求的灵活性和快速性能。 这些器件是代码映射、XIP 和数据存储的理想器件。 软件驱动程序、Linux 支持功能以及 Infineon 闪存文件系统让您采用 Infineon 串行闪存进行设计变得轻而易举。

特性
  • 128 Mb 和 256 Mb 密度
  • x1、x2、x4 总线带宽
  • VCC:1.7 V – 2.0 V
  • 高达 1.08 MB/s
  • 顶部/底部 8 x 4 kB 和 1 x 32 kB,所有剩余扇区为 64 kB;可选择统一的 256 KB 或 64 KB 扇区
  • 业内领先的 DDR 80 MHz 四通道 SPI,读取速度高达 80 MB/s
  • 快速编程时间,可达 1.08 MB/s
  • 提供工业(-40° 至 +85°)和舱内(-40° 至 105°C)温度选择
  • 支持 JEDEC JESD126 串行闪存可发现参数 (SFDP)
  • QPI 模式
  • 最短耐久性:10 万个周期
  • 具有 OTP 区域的高级安全特性
  • Infineon 闪存文件系统 (FFS)
  • 行业标准封装
    • 8 引脚 SOIC 208 mil 和 8-land WSON 6 x 5 (128 Mb)
    • 16 引脚 SOIC 和 8-land WSON 8 x 6 (256 Mb)
    • 24 焊球 BGA 6 x 8
  • 基本订购零件编号包括 S25FS128S (128 Mb) 和 S25FS256S (256 Mb)
Parts are not available
发布日期: 2014-01-07