设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
第 3 代沟槽型 SiC MOSFET
ROHM 的原始设计实现了高耐受电压、低导通电组和高开关速度
ROHM 的第 3 代 SiC MOSFET 采用了专有沟槽式栅极结构。相比现有的共面型 SiC MOSFET，这种结构能将导通电阻减少 50%，输入电容减少 35%。 也就是说，该器件显著降低了开关损耗，实现了更快的开关速度，既能提升能效，又能降低各种设备的功率损耗。
主要优势
- 更低的导通电阻提高了逆变器的功率密度
- 支持高速开关操作
- 寄生二极管的最小反向恢复特性
- 较小的 Qg 和寄生电容
- 可防止因寄生二极管导通造成降额
- 兼容高工作温度 (Tjmax= 175°C)
3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SCT3022ALGC11 | SICFET N-CH 650V 93A TO247N | 1298 - 立即发货 |
1 : ¥358.24
管件
| 查看详情 |
| | SCT3030ALGC11 | SICFET N-CH 650V 70A TO247N | 8791 - 立即发货 |
1 : ¥211.04
管件
| 查看详情 |
| | SCT3060ALGC11 | SICFET N-CH 650V 39A TO247N | 450 - 立即发货 |
1 : ¥126.94
管件
| 查看详情 |
| | SCT3120ALGC11 | SICFET N-CH 650V 21A TO247N | 4430 - 立即发货 |
1 : ¥77.07
管件
| 查看详情 |
| | SCT3030KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 72A TO247N | 265 - 立即发货 |
1 : ¥498.99
管件
| 查看详情 |
| | SCT3040KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 55A TO247N | 469 - 立即发货 |
1 : ¥340.71
管件
| 查看详情 |
| | SCT3080KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 31A TO247N | 254 - 立即发货 |
1 : ¥163.66
管件
| 查看详情 |
| | SCT3160KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 17A TO247N | 1970 - 立即发货 |
1 : ¥47.80
管件
| 查看详情 |
发布日期： 2016-08-15
中国