SuperFlash® 存储器件

Microchip 推出 SST26WF080B/080BA/016B,扩充了其串行四通道 I/O™ SuperFlash® 存储器件系列

Microchip 的 SuperFlash® 存储器件图片Microchip 的 SST26WF080B/080BA/016B 串行四通道 I/O (SQI) 闪存器件采用 4 位多路复用式 I/O 串行接口提升性能,同时又保持了标准串行闪存器件的紧凑外形。 SST26WF080B/080BA/016B 还支持全指令集兼容传统串行外设接口 (SPI) 协议。 SST26WF080B/080BA/016B 工作频率可达 104 MHz,无需在 SRAM 上进行代码映射即可实现最小的延迟芯片内执行 (XIP) 功能。 SST26WF080B/080BA/016B 使用 1.65 V 至 1.95 V 的单一电源进行写操作(编程或擦除),大大降低了功耗。

该存储器件的低功率消耗使之非常适合移动手持设备、蓝牙®、GPS、摄像头模块、转台、助听器和任何电池供电型设备。 依托 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash®技术实现更多优势,从而大大提高了性能和可靠性。

SST26WF016B 默认在上电时 WP# 和 HOLD 引脚是启用的,而 SIO3 和 SIO4 引脚则是禁用的,以实现无寄存器配置的 SPI 协议操作。

特性
  • 串行接口架构:半字节宽多路复用 I/O,具有类似 SPI 的串行命令结构
  • 模式 0 和模式 3
  • x1/x2/x4 串行外设接口 (SPI) 协议 - 猝发模式
  • 连续线性猝发,8/16/32/64 字节线性猝发,采用环绕式
  • 页编程:在 x1 和 x4 模式下每页 256 字节
  • 灵活地擦除能力:均匀 4 KB 扇区、四个 8 KB 顶部和底部参数叠加块、一个 32 KB 的顶部和底部叠加块、 均匀 64 KB 贴面块
  • 软件写保护:单个块锁定:64 KB 块、两个 32 KB 块和 8 个 8 KB 参数块
  • 低功耗:有源读取电流:15 mA(104 MHz 时典型值),待机电流:10 µA(典型值)
  • SFDP(串行闪存可发现参数)
  • 采用的封装:8 触头 WSON (6 mm x 5 mm)、8 引脚 SOIC (150 mil)、8 触头 USON (2 mm x 3 mm) SST26WF080B/080BA、8 焊球 XFBGA (Z 级)
  • 所有器件都均符合 RoHS 规范


SuperFlash® Memory Devices

图片制造商零件编号描述存储器格式技术可供货数量
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8CSPSST26WF016B-104I/CSIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8CSP闪存闪存0 - 立即发货查看详情
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFNSST26WF016B-104I/MFIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFN闪存闪存0 - 立即发货查看详情
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOICSST26WF016B-104I/SNIC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC闪存闪存0 - 立即发货查看详情
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发布日期: 2015-03-24