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EPC

- EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN®) FET,可替代众多应用中的功率 MOSFET,如 DC-DC 转换器无线功率传输包络跟踪、射频传输、功率逆变器遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器,其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。

用于 LiDAR 的 GaN

用于 LiDAR 的 EPC GaN  图

EPC 的 Alex Lidow 说明了为什么 eGaN FET 和 IC 在向 LiDARM 激光器供电时具有出色的性能,为什么固态硬盘和旋转 LiDAR 装置将在自主驾驶车辆、机器人和无人机领域发挥作用。了解详情

GaN IC

EPC 的 eGaN 集成电路栅极驱动器 plus FET 图

采用 eGaN 技术的功率晶体管能够在 1 纳秒或更短的时间内进行切换。正如 EPC 的 Alex Lidow 说明的那样,在同一芯片上组合 eGaN 栅极驱动器用作功率晶体管,能简化电力电子器件的设计并降低其成本。了解详情

48 V – 12 V DC-DC 器件,采用 GaN 技术,能效更高、尺寸更小且成本更低

EPC 的 DC/DC 转换器件图片

EPC9130 开发板是一款 500 kHz 开关频率、48 V 标称输入电压、60 A 最大输出电流、5 相中间总线转换器 (IBC),具有板载微控制器和栅极驱动器,带有 100 V EPC2045 增强模式 (eGaN®) 场效应晶体管。了解详情

Image of EPC's Wireless Power eGan Banner Image

特色产品

EPC 的 EPC9130 稳压转换器图

EPC9130 稳压转换器

EPC 的 EPC9130 演示板的功率密度超过每立方英寸 1000 W、效率超过 96%。了解详情

以 MOSFET 的价值实现 EPC GaN® 的性能图

以 MOSFET 的价值实现 GaN 性能

今天 EPC 的 GaN 正进入一个极速增长期,因为采用这种材料的半导体为各个公司创造出了主要业绩和成本优势。了解详情

最新产品 查看全部 (42)

Image of EPC's EPC2106 Half Bridge

EPC2106 Half Bridge

EPC's EPC2106 half bridge has high efficiency power conversion in a small footprint.

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Image of EPC's EPCDESIGNTOOL GaN FET Design Tool

EPCDESIGNTOOL 氮化镓 (GaN) FET 设计工具

EPC 的 EPCDESIGNTOOL GaN FET 设计工具用于菊花链和电迁移测试,可提供各种芯片尺寸选择。

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Image of EPC's GaN Semiconductors

氮化镓半导体

EPC 的氮化镓半导体专为谐振无线功率传输应用而设计,可实现高效终端系统的快速设计。

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Image of Silicon Labs/EPC's Isolated Gate Driver Plus GaN FET Reference Designs

隔离式栅极驱动器和 GaN FET 参考设计

Silicon Labs 与 EPC 合作,使设计人员能够利用参考设计简化 eGAN FET 的评估过程。

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Image of EPC's EPC2051 100 V eGaN Power Transistor

EPC2051 100VeGaN® 功率晶体管

EPC 的 EPC2051 100 V eGaN® 功率晶体管是同类硅芯片的 1/30 且在 500 kHz 时的效率可达 97%

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Image of EPC EPC2202/EPC2203 GaN Chip-Scale AEC-Q101 Qualified FETs

EPC2202/EPC2203 GaN 芯片级 AEC-Q101 认证型 FET

EPC 成功取得 AEC-Q101 认证意味着汽车电子产品现在可以充分利用 eGaN 器件的优势。

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产品培训模块 (PTM) 查看全部 (10)

917-1027-2-ND

eGaN® FET Reliability

Duration: 5 minutes

Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.

eGaN-based Eighth Brick Converter

eGaN-based Eighth Brick Converter

Duration: 5 minutes

Review of the design specifications of a 500 W 1/8th brick converter

917-EPC2100ENG-ND

eGaN Integrated GaN Power

Duration: 5 minutes

eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.

eGaN FETS

Driving eGaN FETs with the LM5113

Duration: 15 minutes

The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.

Featured Videos 查看全部 (51)

APEC 2017 Applications for GaN

In this video, Alex Lidow, CEO, takes a “walk through our booth,” showing eGaN FETs and ICs in a wide range of applications including EPC’s latest generation FETs for DC-DC conversion.

Publish Date: 2019-01-14

300 W GaN-Based Wirelessly Powered Smart Desk at CES 2018

A world with no power cords where you have the ability to place whatever you need on a single surface to charge AND power is here today!

Publish Date: 2018-06-29

Why gate drivers are joining eGaN transistors on the same chip

Power transistors made with eGaN technology can switch in a nanosecond or less. The circuit necessary to drive these transistors tend involve a lot of parasitic elements that can contribute to ringing and other sub-optimum effects.

Publish Date: 2018-06-18

48 V–12 V DC-DC with GaN, More Efficient, Smaller and Lower Cost

The EPC9130 development board is a 500 kHz switching frequency, 48 V nominal input voltage, 60 A maximum output current, 5-phase intermediate bus converter, featuring the 100 V EPC2045 enhancement mode field effect transistor.

Publish Date: 2018-04-12

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