单 FET，MOSFET

结果 : 7
产品状态
不适用于新设计停产在售
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）17A（Tc）20A（Tc）34A（Tc）35A（Tc）46.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 30A，10V60 毫欧 @ 22A，10V62 毫欧 @ 22A，8V130 毫欧 @ 13A，8V180 毫欧 @ 11A，8V205 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 300µA2.6V @ 500µA2.6V @ 700µA4.8V @ 1mA4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 4.5 V10 nC @ 8 V14 nC @ 8 V24 nC @ 10 V36 nC @ 10 V42 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 400 V760 pF @ 480 V780 pF @ 600 V1000 pF @ 400 V1500 pF @ 400 V2200 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
78W（Tc）96W（Tc）119W（Tc）125W（Tc）156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN（8x8）TO-220ABTO-247-3
封装/外壳
3-PowerDFNTO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO220
TPH3206PS
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Transphorm
314
现货
1 : ¥78.15000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
17A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 11A，8V
2.6V @ 500µA
9.3 nC @ 4.5 V
±18V
760 pF @ 480 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
Discrete Semiconductor-FET
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Transphorm
302
现货
1 : ¥115.34000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
650 V
46.5A（Tc）
12V
41 毫欧 @ 30A，10V
4.8V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
Discrete Semiconductor-FET
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Transphorm
315
现货
1 : ¥145.06000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
650 V
34A（Tc）
12V
60 毫欧 @ 22A，10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO220
TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Transphorm
41
现货
1 : ¥84.88000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
600 V
17A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 11A，8V
2.6V @ 500µA
9.3 nC @ 4.5 V
±18V
760 pF @ 480 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PQFN_8x8
TPH3208LDG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Transphorm
9
现货
1 : ¥89.56000
管件
-
管件
停产
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
20A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 13A，8V
2.6V @ 300µA
14 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-PQFN（8x8）
3-PowerDFN
TO-247-3
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Transphorm
0
现货
540 : ¥114.83311
管件
-
管件
停产
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
35A（Tc）
10V
62 毫欧 @ 22A，8V
2.6V @ 700µA
42 nC @ 8 V
±18V
2200 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO220
TP90H180PS
GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Transphorm
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
900 V
15A（Tc）
10V
205 毫欧 @ 10A，10V
2.6V @ 500µA
10 nC @ 8 V
±18V
780 pF @ 600 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。