单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesQorvoRohm SemiconductorWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolSiC™G3R™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V750 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.8A（Tc）10A（Tc）11A（Tc）17A（Tc）23A（Tc）26A（Tc）28.8A（Tc）38A（Tc）39A（Tc）40A（Tj）43A（Tc）55A（Tc）56A（Tc）70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V，15V15V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 29A，18V39 毫欧 @ 27A，18V47 毫欧 @ 21A，18V52 毫欧 @ 20A，18V78 毫欧 @ 13A，18V81 毫欧 @ 12A，18V105 毫欧 @ 20A，12V125 毫欧 @ 8.5A，18V137 毫欧 @ 7.6A，18V208 毫欧 @ 8.5A，15V420 毫欧 @ 4A，15V450毫欧 @ 2A，15V585 毫欧 @ 3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 2mA3.6V @ 2.33mA4V @ 900µA4.8V @ 11.1mA4.8V @ 15.4mA4.8V @ 6.45mA5.6V @ 10mA5.6V @ 13.3mA5.6V @ 3.81mA5.6V @ 6.67mA5.7V @ 2.5mA5.7V @ 3.7mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 12 V12 nC @ 15 V23 nC @ 12 V23 nC @ 18 V24 nC @ 15 V27 nC @ 18 V51 nC @ 18 V58 nC @ 18 V64 nC @ 18 V91 nC @ 18 V94 nC @ 18 V104 nC @ 18 V107 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V±15V+18V，-15V+20V，-10V+21V，-4V+22V，-4V+22V，-6V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
334 pF @ 800 V463 pF @ 800 V574 pF @ 800 V610 pF @ 1000 V632 pF @ 1000 V754 pF @ 100 V763 pF @ 800 V852 pF @ 500 V1337 pF @ 800 V1498 pF @ 800 V1526 pF @ 500 V2320 pF @ 500 V2335 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
75W（Tc）85W（Tc）90W（Tc）107W（Tc）115W125W136W（Tc）150W159W165W176W190W（Tc）262W267W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK-7PG-TO263-7-12PG-TO263-7-13TO-247-4LTO-247NTO-263-7TO-263-7L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Infineon Technologies
1,512
现货
1 : ¥51.72000
剪切带（CT）
1,000 : ¥29.35030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
9.8A（Tc）
12V，15V
450毫欧 @ 2A，15V
5.7V @ 2.5mA
11 nC @ 12 V
+20V，-10V
610 pF @ 1000 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
UF3C120080B7S
UF3C120080B7S
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Qorvo
4,885
现货
1 : ¥74.71000
剪切带（CT）
800 : ¥62.59628
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
28.8A（Tc）
-
105 毫欧 @ 20A，12V
6V @ 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
754 pF @ 100 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-247N
SCT2450KEGC11
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Rohm Semiconductor
130
现货
1 : ¥93.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
10A（Tc）
18V
585 毫欧 @ 3A，18V
4V @ 900µA
27 nC @ 18 V
+22V，-6V
463 pF @ 800 V
-
85W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Infineon Technologies
2,647
现货
1 : ¥85.46000
剪切带（CT）
1,000 : ¥48.45945
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
26A（Tc）
-
125 毫欧 @ 8.5A，18V
5.7V @ 3.7mA
23 nC @ 18 V
+18V，-15V
763 pF @ 800 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-247N
SCT4062KEC11
1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,744
现货
1 : ¥119.20000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
26A（Tc）
18V
81 毫欧 @ 12A，18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V，-4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7HRTL
SCT4036KW7TL
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
796
现货
1 : ¥160.74000
剪切带（CT）
1,000 : ¥101.81799
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
40A（Tj）
18V
47 毫欧 @ 21A，18V
4.8V @ 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V，-4V
2335 pF @ 800 V
-
150W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT4026DRHRC15
SCT4036KRHRC15
1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
336
现货
1 : ¥182.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
43A（Tc）
18V
47 毫欧 @ 21A，18V
4.8V @ 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V，-4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DRHRC15
SCT3040KRC14
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L
Rohm Semiconductor
828
现货
1 : ¥426.56000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
55A（Tc）
18V
52 毫欧 @ 20A，18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V，-4V
1337 pF @ 800 V
-
262W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065090J
C3M0160120J
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
3,206
现货
1 : ¥91.21000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
17A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 8.5A，15V
3.6V @ 2.33mA
24 nC @ 15 V
+15V，-4V
632 pF @ 1000 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT3series
SCT3105KW7TL
SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Rohm Semiconductor
1,905
现货
1 : ¥86.77000
剪切带（CT）
1,000 : ¥72.74508
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
23A（Tc）
-
137 毫欧 @ 7.6A，18V
5.6V @ 3.81mA
51 nC @ 18 V
+22V，-4V
574 pF @ 800 V
-
125W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT3series
SCT3060AW7TL
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Rohm Semiconductor
1,189
现货
1 : ¥105.33000
剪切带（CT）
1,000 : ¥88.27101
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
38A（Tc）
-
78 毫欧 @ 13A，18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V，-4V
852 pF @ 500 V
-
159W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT4026DRHRC15
SCT3060ARC14
SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
Rohm Semiconductor
345
现货
1 : ¥191.61000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
18V
78 毫欧 @ 13A，18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V，-4V
852 pF @ 500 V
-
165W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT3series
SCT3040KW7TL
SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7
Rohm Semiconductor
998
现货
1 : ¥306.37000
剪切带（CT）
1,000 : ¥212.22838
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
56A（Tc）
-
52 毫欧 @ 20A，18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V，-4V
1337 pF @ 800 V
-
267W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT3series
SCT3030AW7TL
SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
Rohm Semiconductor
437
现货
1 : ¥312.61000
剪切带（CT）
1,000 : ¥204.08635
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
-
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
267W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SCT4026DRHRC15
SCT4026DRHRC15
750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
462
现货
1 : ¥179.70000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
56A（Tc）
18V
34 毫欧 @ 29A，18V
4.8V @ 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V，-4V
2320 pF @ 500 V
-
176W
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
GA20JT12-263
G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
3,641
现货
1 : ¥45.23000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
11A（Tc）
15V
420 毫欧 @ 4A，15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。