单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-HEXFET®OptiMOS™STripFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）27A（Tc）30A（Tc）31A（Tc）35A（Tc）42A（Tc）43A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 75A，10V18 毫欧 @ 6A，10V22 毫欧 @ 30A，10V27 毫欧 @ 25A，10V28 毫欧 @ 18A，10V28.5 毫欧 @ 21A，10V31 毫欧 @ 30A，10V45 毫欧 @ 16A，10V65 毫欧 @ 16A，10V68 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 11µA2.4V @ 29µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V10.3 nC @ 10 V31 nC @ 5 V31 nC @ 10 V34 nC @ 10 V48 nC @ 5 V55 nC @ 10 V59 nC @ 10 V63 nC @ 10 V290 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
502 pF @ 30 V700 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1600 pF @ 25 V1600 pF @ 30 V1690 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V1976 pF @ 25 V2711 pF @ 15 V7960 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.12W（Ta）36W（Tc）50W（Tc）57W（Tc）68W（Tc）70W（Tc）91W（Tc）110W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKDPAKPG-TO252-3-11PG-TO252-3-311TO-252-3TO-252（DPAK）TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
25,982
现货
842,500
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.54106
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD220N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Infineon Technologies
17,663
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 11µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-311
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Infineon Technologies
7,560
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.73513
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
27A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR5305TRPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
13,565
现货
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.43687
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRLR2905TRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Infineon Technologies
1,856
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.75245
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
42A（Tc）
4V，10V
27 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD30NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
864
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.56160
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
5V，10V
28 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 5 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3805STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Infineon Technologies
5,424
现货
1 : ¥38.42000
剪切带（CT）
800 : ¥23.21753
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
75A（Tc）
10V
3.3 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
290 nC @ 10 V
±20V
7960 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-252 D-Pak Top
DMN6017SK3-13
MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Diodes Incorporated
3,629
现货
17,500
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.77360
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
43A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2711 pF @ 15 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR540ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Infineon Technologies
18,348
现货
1 : ¥9.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.89411
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Tc）
10V
28.5 毫欧 @ 21A，10V
4V @ 50µA
59 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
91W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Infineon Technologies
35,509
现货
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.68360
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Tc）
4.5V，10V
31 毫欧 @ 30A，10V
2.4V @ 29µA
31 nC @ 10 V
±20V
1976 pF @ 25 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。