单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
HiPerFET™, Ultra X3StrongIRFET™Ultra X4
漏源电压(Vdss)
200 V250 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A(Tc)170A(Tc)182A(Tc)210A(Tc)220A(Tc)240A(Tc)300A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 150A,10V5 毫欧 @ 120A,10V5.5 毫欧 @ 105A,10V5.5 毫欧 @ 110A,10V6.6 毫欧 @ 82A,10V7.4 毫欧 @ 85A,10V8.3 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 270µA4.5V @ 250µA4.5V @ 4mA4.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
157 nC @ 10 V177 nC @ 10 V190 nC @ 10 V203 nC @ 10 V345 nC @ 10 V375 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9820 pF @ 50 V12300 pF @ 25 V13100 pF @ 25 V13500 pF @ 25 V23800 pF @ 25 V24200 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
556W(Tc)695W(Tc)800W(Tc)890W(Tc)960W(Tc)1250W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装通孔
供应商器件封装
ISO TO-247-3SOT-227BTO-247(IXTH)TO-247ACTO-264
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOCTO-247-3TO-264-3,TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Infineon Technologies
581
现货
1 : ¥77.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
182A(Tc)
10V
6.6 毫欧 @ 82A,10V
4V @ 270µA
203 nC @ 10 V
±20V
9820 pF @ 50 V
-
556W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-264
IXFK210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A TO264
Littelfuse Inc.
130
现货
1 : ¥271.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
210A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 105A,10V
4.5V @ 8mA
375 nC @ 10 V
±20V
24200 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
TO-264
IXFK150N30X3
MOSFET N-CH 300V 150A TO264
Littelfuse Inc.
24
现货
1 : ¥162.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
150A(Tc)
10V
8.3 毫欧 @ 75A,10V
4.5V @ 4mA
177 nC @ 10 V
±20V
13100 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
Littelfuse_power_Semi_TO-247-3L
IXTH220N20X4
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247
Littelfuse Inc.
0
现货
390
工厂
查看交期
1 : ¥150.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 110A,10V
4.5V @ 250µA
157 nC @ 10 V
±20V
12300 pF @ 25 V
-
800W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
ISO TO-247-3
TO-247-3
IXFK240N25X3
IXFK240N25X3
MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥271.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
240A(Tc)
10V
5 毫欧 @ 120A,10V
4.5V @ 8mA
345 nC @ 10 V
±20V
23800 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
TO-247_IXFH
IXFH150N30X3
MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥160.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
150A(Tc)
10V
8.3 毫欧 @ 75A,10V
4.5V @ 4mA
177 nC @ 10 V
±20V
13100 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥166.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
170A(Tc)
10V
7.4 毫欧 @ 85A,10V
4.5V @ 4mA
190 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A SOT227B
Littelfuse Inc.
3
现货
1 : ¥380.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
300A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 150A,10V
4.5V @ 8mA
375 nC @ 10 V
±20V
23800 pF @ 25 V
-
695W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
显示
/ 8

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。