单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®STripFET™ IIUltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）43A（Tc）48A（Tc）49A（Tc）50A（Tc）51A（Tc）55A（Tc）57A（Tc）60A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V10V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 62A，10V12 毫欧 @ 34A，10V13.9 毫欧 @ 31A，10V14 毫欧 @ 30A，10V15.8 毫欧 @ 25A，10V16.5 毫欧 @ 31A，10V17.5 毫欧 @ 25A，10V18 毫欧 @ 27.5A，10V18 毫欧 @ 43A，10V23 毫欧 @ 29A，10V28 毫欧 @ 31A，10V30 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V34 nC @ 10 V43 nC @ 10 V60 nC @ 10 V63 nC @ 10 V65 nC @ 10 V66 nC @ 4.5 V67 nC @ 10 V110 nC @ 10 V146 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1060 pF @ 25 V1150 pF @ 50 V1300 pF @ 25 V1360 pF @ 25 V1420 pF @ 25 V1470 pF @ 25 V1690 pF @ 25 V1812 pF @ 25 V1900 pF @ 25 V2000 pF @ 25 V2400 pF @ 25 V3247 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），150W（Tc）3.8W（Ta），94W（Tc）71W（Tc）80W（Tc）85W（Tc）92W（Tc）94W（Tc）110W（Tc）115W（Tc）150W（Tc）190W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKTO-220TO-220-3TO-220ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
23,186
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
22,428
现货
1 : ¥13.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 62A，10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Infineon Technologies
3,965
现货
1 : ¥10.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
43A（Tc）
10V
15.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
HUF76423P3
MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3
onsemi
1,202
现货
1 : ¥12.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 35A，10V
3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±16V
1060 pF @ 25 V
-
85W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Infineon Technologies
21,220
现货
1 : ¥12.72000
剪切带（CT）
800 : ¥6.85696
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
49A（Tc）
10V
17.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
STP55NF06
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
STMicroelectronics
37,910
现货
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 27.5A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP60NF06L
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STMicroelectronics
508
现货
1 : ¥16.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V，5V
14 毫欧 @ 30A，10V
1V @ 250µA
66 nC @ 4.5 V
±15V
2000 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-65°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
IRFZ40PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
2,325
现货
1 : ¥21.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRFZ44RPBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
1,481
现货
1 : ¥22.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRFZ44SPBF
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Vishay Siliconix
1,237
现货
1 : ¥22.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220AB
IRFZ44PBF-BE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
700
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
-
28 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRFZ48RPBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Vishay Siliconix
960
现货
1 : ¥24.46000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 43A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44ZPBF
MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Infineon Technologies
1,174
现货
1 : ¥8.95000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
51A（Tc）
10V
13.9 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1420 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44VPBF
MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
Infineon Technologies
1,936
现货
1 : ¥11.90000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
55A（Tc）
10V
16.5 毫欧 @ 31A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1812 pF @ 25 V
-
115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44EPBF
MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Infineon Technologies
13,303
现货
1 : ¥12.23000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
48A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 29A，10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1360 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44VZPBF
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB
Infineon Technologies
282
现货
1 : ¥16.99000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。