单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Micro Commercial CoSanken Electric USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
2 A10 A15 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V140 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
500mV @ 500mA,5A500mV @ 50mA,1A500mV @ 80mA,400mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)10µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 3A,4V60 @ 5A,1V70 @ 500mA,2V
功率 - 最大值
500 mW1 W60 W100 W
频率 - 跃迁
18MHz20MHz100MHz120MHz
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-243AATO-3P-3 整包
供应商器件封装
PW-MINISOT-89TO-3PTO-3PF
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
2SC5287
2SC4131
TRANS NPN 50V 15A TO3PF
Sanken Electric USA Inc.
453
现货
1 : ¥38.26000
散装
-
散装
在售
NPN
15 A
50 V
500mV @ 80mA,400mA
10µA(ICBO)
60 @ 5A,1V
60 W
18MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-3P-3 整包
TO-3PF
2SC4886
2SA1695
TRANS PNP 140V 10A TO3P
Sanken Electric USA Inc.
144
现货
1 : ¥27.67000
散装
-
散装
在售
PNP
10 A
140 V
500mV @ 500mA,5A
10µA(ICBO)
50 @ 3A,4V
100 W
20MHz
150°C(TJ)
通孔
TO-3P-3 整包
TO-3P
1,014
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.24790
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
2 A
50 V
500mV @ 50mA,1A
100nA(ICBO)
70 @ 500mA,2V
500 mW
120MHz
150°C(TJ)
表面贴装型
TO-243AA
PW-MINI
SOT 89
2SA1213-Y-TP
TRANS PNP 50V 2A SOT89
Micro Commercial Co
780
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
1,000 : ¥0.95859
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
2 A
50 V
500mV @ 50mA,1A
100nA(ICBO)
70 @ 500mA,2V
1 W
100MHz
150°C(TJ)
表面贴装型
TO-243AA
SOT-89
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。