IGBT 模块

结果 : 4
系列
-IHM-BPrimePACK™3
IGBT 类型
-沟槽型场截止
配置
2 个独立式半桥双制动斩波器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700 V3300 V4500 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
1000 A1400 A1600 A
功率 - 最大值
1050 W9000 W11500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，1400A2.25V @ 15V，1600A2.85V @ 15V，800A3.1V @ 15V，1000A
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.1 nF @ 25 V110 nF @ 25 V130 nF @ 25 V190 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-50°C ~ 125°C-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
FZ800R45KL3B5NOSA2
FZ800R45KL3B5NOSA2
IGBT MOD 4500V 1600A 9000W
Infineon Technologies
2
现货
1 : ¥13,733.01000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
4500 V
1600 A
9000 W
2.85V @ 15V，800A
5 mA
3.1 nF @ 25 V
标准
无
-50°C ~ 125°C
底座安装
模块
模块
1
现货
1 : ¥11,888.37000
托盘
托盘
在售
-
双制动斩波器
1700 V
1600 A
1050 W
2.25V @ 15V，1600A
5 mA
130 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
2
现货
1 : ¥6,709.17000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1700 V
1400 A
-
2.2V @ 15V，1400A
5 mA
110 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
1
现货
1 : ¥13,733.01000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
双制动斩波器
3300 V
1000 A
11500 W
3.1V @ 15V，1000A
5 mA
190 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。