IGBT 模块

结果 : 4
系列
-C
配置
2 个独立式三相反相器半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
117 A520 A600 A
功率 - 最大值
300 W2400 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，100A2.15V @ 15V，450A2.2V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
6.2 nF @ 25 V28 nF @ 25 V38 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
AG-62MM-1模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
5
现货
1 : ¥1,786.76000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
600 A
-
2.2V @ 15V，600A
5 mA
38 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF450R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 520A 2400W
Infineon Technologies
20
现货
1 : ¥1,410.61000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
520 A
2400 W
2.15V @ 15V，450A
5 mA
28 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
0
现货
查看交期
1 : ¥560.21000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
三相反相器
650 V
117 A
300 W
1.9V @ 15V，100A
1 mA
6.2 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
8
现货
1 : ¥1,786.76000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
600 A
-
2.2V @ 15V，600A
5 mA
38 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
AG-62MM-1
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。