IGBT 模块

结果 : 7
系列
-CPrimePACK™3
产品状态
停产在售
IGBT 类型
-沟槽型场截止
配置
2 个独立式半桥单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A225 A240 A295 A320 A400 A
功率 - 最大值
285 W1050 W1100 W1250 W2400 W6250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，400A2.15V @ 15V，200A2.15V @ 15V，50A2.45V @ 15V，1000A3.7V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2.8 nF @ 25 V11 nF @ 25 V14 nF @ 25 V28 nF @ 25 V81 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-40°C ~ 125°C-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
FZ600R17KE3
FZ400R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 400A 2400W
Infineon Technologies
74
现货
1 : ¥916.33000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
400 A
2400 W
2.1V @ 15V，400A
5 mA
28 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 240A 1100W
Infineon Technologies
29
现货
1 : ¥916.33000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
240 A
1100 W
2.15V @ 15V，200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
0
现货
10 : ¥602.57400
托盘
-
托盘
停产
沟槽型场截止
半桥
1200 V
50 A
285 W
2.15V @ 15V，50A
1 mA
2.8 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Infineon Technologies
10
现货
1 : ¥916.33000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
320 A
1100 W
2.15V @ 15V，200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
8
现货
1 : ¥5,181.00000
托盘
托盘
在售
-
2 个独立式
1700 V
-
6250 W
2.45V @ 15V，1000A
5 mA
81 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
5
现货
1 : ¥1,225.33000
托盘
-
托盘
在售
-
半桥
1200 V
295 A
1050 W
2.15V @ 15V，200A
5 mA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C
底座安装
模块
模块
62mmFF1682170244
FF150R12KS4HOSA1
IGBT MOD 1200V 225A 1250W
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥1,159.41000
托盘
托盘
在售
-
2 个独立式
1200 V
225 A
1250 W
3.7V @ 15V，150A
5 mA
11 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。