单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Ta），100A（Tc）32A（Ta），155A（Tc）261A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 50A，10V1.45 毫欧 @ 50A，10V1.65 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 120µA3.3V @ 120µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
89 nC @ 10 V104 nC @ 10 V154 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6500 pF @ 30 V8125 pF @ 30 V11530 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），156W（Tc）2.7W（Ta），156W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PG-TDSON-8-17PG-WSON-8-2
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-17
BSC014N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Infineon Technologies
8,861
现货
1 : ¥23.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.10725
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.45 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 120µA
89 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-17
8-PowerTDFN
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC014N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Infineon Technologies
5,959
现货
1 : ¥28.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥13.83630
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
261A（Tc）
6V，10V
1.4 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 120µA
104 nC @ 10 V
±20V
8125 pF @ 30 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
8-PQFN
FDMS86550
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
onsemi
506
现货
1 : ¥54.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥26.45539
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32A（Ta），155A（Tc）
8V，10V
1.65 毫欧 @ 32A，10V
4.5V @ 250µA
154 nC @ 10 V
±20V
11530 pF @ 30 V
-
2.7W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。