单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-CoolMOS™ C6MDmesh™ M2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
60 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）6.7A（Tc）8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
355 毫欧 @ 4A，10V650 毫欧 @ 2.1A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.5V @ 210µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.233 nC @ 10 V19 nC @ 10 V21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V440 pF @ 100 V704 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）52W（Tc）56.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSON-8-2PowerFlat™（5x6）HVSOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002Q-7-F
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Diodes Incorporated
28,494
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32982
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
170mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.233 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8PowerVDFN
STL16N60M2
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
STMicroelectronics
2,547
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.02060
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
8A（Tc）
10V
355 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
704 pF @ 100 V
-
52W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）HV
8-PowerVDFN
Power56
IPL65R650C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
6.7A（Tc）
10V
650 毫欧 @ 2.1A，10V
3.5V @ 210µA
21 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 100 V
-
56.8W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-2
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。