功率驱动器模块

结果 : 4
制造商
onsemiRohm Semiconductor
电流
10 A15 A
电压 - 隔离
1500Vrms2000Vrms
封装/外壳
25-PowerDIP 模块（1.134"，28.80mm）25-PowerDIP 模块（1.327"，33.70mm）38-PowerDIP 模块（0，610"，24，00mm），24 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
类型
配置
电流
电压
电压 - 隔离
安装类型
封装/外壳
38-PowerDIP-Module-24-Leads
NFAQ1560R43T
MODULE IPM 600V 15A DIPS6
onsemi
377
现货
1 : ¥165.25000
管件
-
管件
在售
IGBT
三相反相器
15 A
600 V
2000Vrms
通孔
38-PowerDIP 模块（0，610"，24，00mm），24 引线
BM63364S-VC (top)
BM63573S-VC
600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
Rohm Semiconductor
42
现货
1 : ¥167.39000
管件
-
管件
在售
IGBT
三相反相器
10 A
600 V
1500Vrms
通孔
25-PowerDIP 模块（1.327"，33.70mm）
BM63364S-VC (top)
BM63563S-VC
INTELLIGENT POWER MODULE
Rohm Semiconductor
50
现货
1 : ¥178.80000
管件
-
管件
在售
IGBT
三相反相器
10 A
600 V
1500Vrms
通孔
25-PowerDIP 模块（1.327"，33.70mm）
HSDIP25
BM63373S-VA
600V IGBT INTELLIGENT POWER MODU
Rohm Semiconductor
1
现货
1 : ¥167.39000
管件
-
管件
在售
IGBT
三相反相器
10 A
600 V
1500Vrms
通孔
25-PowerDIP 模块（1.134"，28.80mm）
显示
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功率驱动器模块

功率驱动器模块为电源组件（通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防护。功率半导体元件或裸片被焊接或烧结到基层上，基层是功率半导体元件的载体，并在需要时提供导电和导热以及电绝缘。功率模块具有更高的功率密度，在许多情况下更可靠，更容易冷却。