单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）57A（Tc）75A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 75A，10V23 毫欧 @ 28A，10V25 毫欧 @ 56A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V130 nC @ 20 V238 nC @ 20 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2000 pF @ 25 V3130 pF @ 25 V3790 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200W（Tc）310W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220-3TO-220ABTO-262（I2PAK）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-220-3TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Infineon Technologies
6,588
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
57A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
HUF75645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
onsemi
1,020
现货
2,400
工厂
1 : ¥22.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
75A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
238 nC @ 20 V
±20V
3790 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263
HUF75639S3ST
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
onsemi
735
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
800 : ¥12.11388
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
56A（Tc）
10V
25 毫欧 @ 56A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 20 V
±20V
2000 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-262-3 Long Leads
HUF75639S3
MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
onsemi
800
现货
1 : ¥22.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
56A（Tc）
10V
25 毫欧 @ 56A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 20 V
±20V
2000 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-262（I2PAK）
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。