单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Ta），23.6A（Tc）10.8A（Ta），46.9A（Tc）18A（Ta），80A（Tc）20A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 30A，10V5.6 毫欧 @ 20A，10V15 毫欧 @ 20A，10V16 毫欧 @ 12A，10V17 毫欧 @ 10A，10V40 毫欧 @ 20A，10V50 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V22.4 nC @ 10 V25 nC @ 10 V33.3 nC @ 10 V35 nC @ 10 V46.8 nC @ 10 V85 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
864 pF @ 30 V1287 pF @ 25 V1377 pF @ 30 V1871 pF @ 50 V2051 pF @ 40 V2800 pF @ 15 V4000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）2.6W（Ta）2.9W（Ta）3.2W（Ta）42W（Tc）71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5TO-252-3TO-252（DPAK）TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SQD50N04-5M6_T4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
42,117
现货
1 : ¥13.13000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.44726
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
10V
5.6 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMTH6016LK3-13
MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
Diodes Incorporated
4,111
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.37953
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.8A（Ta），46.9A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMN6040SK3-13
MOSFET N CH 60V 20A TO252
Diodes Incorporated
26,112
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.78310
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMPH6050SK3Q-13
MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Diodes Incorporated
11,111
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.2A（Ta），23.6A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1377 pF @ 30 V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-2
DMT10H015LK3-13
MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Diodes Incorporated
13,493
现货
195,000
工厂
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.44792
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Tc）
6V，10V
15 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
33.3 nC @ 10 V
±20V
1871 pF @ 50 V
-
2.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
BSC050N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
Infineon Technologies
9,915
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.51405
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
5 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-252-2
DMTH8012LK3Q-13
MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Diodes Incorporated
9,246
现货
155,000
工厂
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.86276
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
50A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
46.8 nC @ 10 V
±20V
2051 pF @ 40 V
-
2.6W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。