单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Rohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™Polar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)14A(Tc)15A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
290 毫欧 @ 6.5A,10V299 毫欧 @ 6.6A,10V550 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 440µA4V @ 1mA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29 nC @ 10 V36 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
910 pF @ 25 V1100 pF @ 100 V2500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
40W(Tc)96W(Tc)300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
LPTSPG-TO263-3-2TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263AB
IXTA14N60P
MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Littelfuse Inc.
220
现货
1 : ¥27.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
14A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 7A,10V
5.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
2500 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Infineon Technologies
3,922
现货
1 : ¥26.19000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.52864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
299 毫欧 @ 6.6A,10V
3.5V @ 440µA
29 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
96W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
R6015ENJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Rohm Semiconductor
4
现货
1 : ¥31.61000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.33568
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
15A(Tc)
10V
290 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
910 pF @ 25 V
-
40W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LPTS
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。