IGBT 模块

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesIXYS
系列
-CIHM-BXPT™, GenX4™
包装
托盘管件
产品状态
不适用于新设计在售
IGBT 类型
-PT沟槽型场截止沟道
配置
2 个独立式半桥单开关单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
215 A400 A450 A460 A550 A1060 A1200 A1790 A3460 A
功率 - 最大值
750 W1600 W2400 W2500 W3350 W4050 W7150 W12500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.05V @ 15V，1200A2.05V @ 15V，2400A2.1V @ 15V，110A2.1V @ 15V，400A2.1V @ 15V，600A2.15V @ 15V，300A2.15V @ 15V，450A2.3V @ 15V，400A2.3V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）
50 µA1 mA3 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.65 nF @ 25 V19 nF @ 25 V28 nF @ 25 V37 nF @ 25 V49 nF @ 25 V74 nF @ 25 V150 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC模块
供应商器件封装
SOT-227B模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
FZ600R17KE3
FZ400R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 400A 2400W
Infineon Technologies
93
现货
1 : ¥916.33000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
400 A
2400 W
2.1V @ 15V，400A
5 mA
28 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
FF300R12KE4HOSA1
FF300R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 460A 1600W
Infineon Technologies
39
现货
1 : ¥1,113.11000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
460 A
1600 W
2.15V @ 15V，300A
5 mA
19 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF450R12KT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 580A 2400W
Infineon Technologies
21
现货
1 : ¥1,410.61000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
450 A
2400 W
2.15V @ 15V，450A
5 mA
28 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
IGBT MOD 1700V 1200A 3350W
Infineon Technologies
19
现货
1 : ¥1,413.07000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1700 V
1200 A
3350 W
2.3V @ 15V，600A
1 mA
49 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
62mm
FZ400R17KE4HOSA1
MODULE IGBT 1700V AG-62MM-2
Infineon Technologies
4
现货
1 : ¥1,113.52000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1700 V
550 A
2500 W
2.3V @ 15V，400A
1 mA
49 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
FF600R12ME4CBOSA1
FF600R12ME4CBOSA1
IGBT MOD 1200V 1060A 4050W
Infineon Technologies
10
现货
1 : ¥2,361.01000
托盘
-
托盘
不适用于新设计
沟槽型场截止
半桥
1200 V
1060 A
4050 W
2.1V @ 15V，600A
3 mA
37 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
2
现货
1 : ¥7,095.67000
托盘
托盘
在售
-
单开关
1200 V
3460 A
12500 W
2.05V @ 15V，2400A
5 mA
150 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IHVAFZ1682170244
FZ1200R12HP4HOSA2
IGBT MOD 1200V 1790A 7150W
Infineon Technologies
2
现货
1 : ¥5,132.24000
托盘
托盘
在售
沟道
单开关
1200 V
1790 A
7150 W
2.05V @ 15V，1200A
5 mA
74 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IXYK1x0xNxxxx
IXXN110N65B4H1
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥259.33000
管件
管件
在售
PT
单路
650 V
215 A
750 W
2.1V @ 15V，110A
50 µA
3.65 nF @ 25 V
标准
无
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227B
显示
/ 9

IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。