单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Cambridge GaN DevicesInfineon TechnologiesTransphorm
系列
-CoolGaN™ICeGaN™SuperGaN®SuperGaN™TP65H070L
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘管件
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A(Tc)6.5A(Tc)13A(Tc)25A(Tc)27A(Tc)29A(Tc)31A(Tc)34A(Tc)46.5A(Tc)47.2A(Tc)93A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V8V10V12V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 60A,10V41 毫欧 @ 30A,10V60 毫欧 @ 22A,10V77 毫欧 @ 2.2A,12V85 毫欧 @ 16A,10V85 毫欧 @ 18A,10V180 毫欧 @ 8.5A,10V312 毫欧 @ 6.5A,6V312毫欧 @ 5A,8V560 毫欧 @ 3A,6V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 2,6mA2.6V @ 500µA2.8V @ 500µA4.2V @ 10mA4.6V @ 700µA4.7V @ 700µA4.8V @ 1mA4.8V @ 2mA4.8V @ 500µA4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5 nC @ 10 V6 nC @ 12 V8 nC @ 10 V8.4 nC @ 10 V8.8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V9.3 nC @ 10 V9.6 nC @ 8 V22 nC @ 0 V22 nC @ 10 V24 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-10V±10V±12V±18V+20V,-1V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380 pF @ 400 V414 pF @ 400 V598 pF @ 400 V600 pF @ 400 V638 pF @ 400 V730 pF @ 400 V760 pF @ 400 V1000 pF @ 400 V1500 pF @ 400 V5218 pF @ 400 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
13.2W(Tc)21W(Tc)52W(Tc)96W(Tc)119W(Tc)125W(Tc)156W(Tc)187W(Tc)266W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)8-PQFN(5x6)8-PQFN(8x8)16-DFN(8x8)PG-DSO-20-87PG-HSOF-8-3TO-220ABTO-247-3TOLLTOLT
封装/外壳
3-PowerDFN3-PowerTDFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-VDFN 裸露焊盘16-PowerSOP 模块16-PowerVDFN20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果

显示
/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TP65H150G4PS
TP65H070G4PS
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Transphorm
975
现货
1 : ¥71.02000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 18A,10V
4.7V @ 700µA
9 nC @ 10 V
±20V
638 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
2,800
现货
1 : ¥94.74000
剪切带(CT)
2,000 : ¥55.81484
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
31A(Tc)
-
-
1,6V @ 2,6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-3
8-PowerSFN
936
现货
1 : ¥101.56000
剪切带(CT)
800 : ¥70.14908
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
31A(Tc)
-
-
1,6V @ 2,6mA
-
-10V
380 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-20-87
20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽)
TP65H035G4WS
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Transphorm
871
现货
1 : ¥147.29000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
650 V
46.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 30A,10V
4.8V @ 1mA
22 nC @ 0 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
Transphorm
657
现货
1 : ¥264.85000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
93A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 60A,10V
4.8V @ 2mA
100 nC @ 10 V
±20V
5218 pF @ 400 V
-
266W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PQFN_8x8
TP65H300G4LSG-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Transphorm
6,449
现货
1 : ¥29.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥14.33351
管件
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
6.5A(Tc)
8V
312毫欧 @ 5A,8V
2.6V @ 500µA
9.6 nC @ 8 V
±18V
760 pF @ 400 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerDFN
TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN
Transphorm
2,774
现货
1 : ¥41.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.25396
托盘
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
托盘
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
13A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 8.5A,10V
4.8V @ 500µA
8 nC @ 10 V
±20V
598 pF @ 400 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerTDFN
PQFN_8x8
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Transphorm
12,335
现货
1 : ¥72.82000
剪切带(CT)
500 : ¥61.06094
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
25A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.8V @ 700µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PQFN(8x8)
3-PowerDFN
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
Transphorm
121
现货
1 : ¥117.89000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
34A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 22A,10V
4.8V @ 700µA
24 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 400 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H035G4QS
TP65H035G4QS
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Transphorm
1,869
现货
1 : ¥144.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥85.17746
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
46.5A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 30A,10V
4.8V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA
650 V 46.5 GAN FET
Transphorm
241
现货
1 : ¥158.61000
管件
-
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
47.2A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 30A,10V
4.8V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H480G4JSGB-TR
TP65H480G4JSGB-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Transphorm
3,914
现货
1 : ¥23.97000
剪切带(CT)
4,000 : ¥10.80777
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
3.6A(Tc)
6V
560 毫欧 @ 3A,6V
2.8V @ 500µA
5 nC @ 10 V
±10V
414 pF @ 400 V
-
13.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
TP65H300G4LSGB-TR
TP65H300G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Transphorm
2,979
现货
1 : ¥25.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.30113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
6.5A(Tc)
6V
312 毫欧 @ 6.5A,6V
2.8V @ 500µA
8.8 nC @ 10 V
±12V
730 pF @ 400 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(8x8)
8-VDFN 裸露焊盘
TP65H070G4QS-TR
TP65H070G4QS-TR
650 V 29 A GAN FET
Transphorm
995
现货
1 : ¥70.69000
剪切带(CT)
2,000 : ¥37.55185
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.8V @ 700µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR
650 V 29 A GAN FET
Transphorm
1,949
现货
1 : ¥75.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥39.96864
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 18A,10V
4.8V @ 700µA
9 nC @ 10 V
±20V
638 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLT
16-PowerSOP 模块
TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Transphorm
2,966
现货
1 : ¥88.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥47.09718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
29A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 16A,10V
4.6V @ 700µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 400 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(8x8)
8-PowerTDFN
CGD65A055S2-T07
CGD65A055S2-T07
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Cambridge GaN Devices
705
现货
1 : ¥123.64000
剪切带(CT)
1,000 : ¥78.30111
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
GaNFET(氮化镓)
650 V
27A(Tc)
12V
77 毫欧 @ 2.2A,12V
4.2V @ 10mA
6 nC @ 12 V
+20V,-1V
-
电流检测
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
16-DFN(8x8)
16-PowerVDFN
显示
/ 17

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。