单双极晶体管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

MJD112T4 TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK STMicroelectronics	9,248 现货	1 : ¥4.93000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.86692 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	NPN - 达林顿	2 A	100 V	3V @ 40mA，4A	20µA	1000 @ 2A，3V	20 W	25MHz	150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	DPAK
BD140-16 TRANS PNP 80V 1.5A SOT32 STMicroelectronics	5,013 现货	1 : ¥3.28000 管件	-	管件	在售	PNP	1.5 A	80 V	500mV @ 50mA，500mA	100nA（ICBO）	40 @ 2V，150MA	1.25 W	-	150°C（TJ）	通孔	TO-225AA，TO-126-3	SOT-32
TIP50 TRANS NPN 400V 1A TO220 STMicroelectronics	1,899 现货	1 : ¥7.06000 管件	-	管件	在售	NPN	1 A	400 V	1V @ 200mA，1A	1mA	30 @ 300mA，10V	2 W	10MHz	150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220
BUL216 TRANS NPN 800V 4A TO220 STMicroelectronics	883 现货	1 : ¥19.54000 管件	-	管件	在售	NPN	4 A	800 V	3V @ 660mA，2A	250µA	12 @ 400mA，5V	90 W	-	150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220
BUL128D-B TRANS NPN 400V 4A TO220 STMicroelectronics	2,873 现货	1 : ¥5.58000 管件	-	管件	最后售卖	NPN	4 A	400 V	500mV @ 1A，4A	250µA	12 @ 2A，5V	70 W	-	150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220
BUL138 TRANS NPN 400V 5A TO220 STMicroelectronics	214 现货	1 : ¥12.40000 管件	-	管件	最后售卖	NPN	5 A	400 V	700mV @ 1A，5A	250µA	8 @ 2A，5V	80 W	-	150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220
BUF420AW TRANS NPN 450V 30A TO247-3 STMicroelectronics	0 现货查看交期	1 : ¥87.60000 管件	-	管件	在售	NPN	30 A	450 V	500mV @ 4A，20A	-	-	200 W	-	150°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247-3
BD139-16 TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3 STMicroelectronics	8 现货	1 : ¥4.19000 管件	-	管件	在售	NPN	1.5 A	80 V	500mV @ 50mA，500mA	100nA（ICBO）	40 @ 150mA，2V	1.25 W	-	150°C（TJ）	通孔	TO-225AA，TO-126-3	SOT-32-3

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分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。

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