单 FET，MOSFET

结果 : 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
55A（Tc）79.5A（Tc）80A（Tc）100A（Tc）115A（Tc）267A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.07 毫欧 @ 25A，10V4.5 毫欧 @ 25A，10V5.5 毫欧 @ 25A，10V7.8 毫欧 @ 25A，10V10.2 毫欧 @ 20A，10V10.9 毫欧 @ 20A，10V15 毫欧 @ 15A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34.3 nC @ 10 V36 nC @ 10 V50.4 nC @ 10 V63.3 nC @ 10 V90 nC @ 10 V95 nC @ 10 V242 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2234 pF @ 50 V2258 pF @ 50 V3384 pF @ 50 V5347 pF @ 25 V6009 pF @ 40 V6238 pF @ 50 V16140 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
105W（Tc）147W（Tc）152W（Tc）238W（Tc）341W（Tc）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8LFPAK88（SOT1235）
封装/外壳
SC-100，SOT-669SOT-1235
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y7R8-80EX
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,353
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.25734
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
10V
7.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
63.3 nC @ 10 V
±20V
5347 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN015-100YSFX
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Nexperia USA Inc.
1,500
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.89895
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
55A（Tc）
7V，10V
15 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
2234 pF @ 50 V
-
105W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN9R8-100YSFX
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Nexperia USA Inc.
3,398
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.82261
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
7V，10V
10.2 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 1mA
50.4 nC @ 10 V
±20V
3384 pF @ 50 V
-
147W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN4R5-80YSFX
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Nexperia USA Inc.
1,490
现货
1 : ¥20.69000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.93925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
7V，10V
4.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
90 nC @ 10 V
±20V
6009 pF @ 40 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN5R5-100YSFX
PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
1,330
现货
1 : ¥22.08000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.96481
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
115A（Tc）
7V，10V
5.5 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
95 nC @ 10 V
±20V
6238 pF @ 50 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN2R0-100SSFJ
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Nexperia USA Inc.
1,878
现货
1 : ¥56.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥20.96409
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
267A（Tc）
7V，10V
2.07 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
242 nC @ 10 V
±20V
16140 pF @ 50 V
-
341W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK88（SOT1235）
SOT-1235
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN011-100YSFX
MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,345
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
79.5A（Tc）
7V，10V
10.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 1mA
34.3 nC @ 10 V
±20V
2258 pF @ 50 V
-
152W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。