单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

NSF080120L3A0Q SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO Nexperia USA Inc.	450 现货	1 : ¥111.33000 管件	-	管件	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MSC017SMA120B MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247 Microchip Technology	32 现货	1 : ¥382.25000 散装	-	散装	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	113A（Tc）	20V	22 毫欧 @ 40A，20V	2.7V @ 4.5mA（典型值）	249 nC @ 20 V	+22V，-10V	5280 pF @ 1000 V	-	455W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247-3	TO-247-3