单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta）10.3A（Ta）10.5A（Ta）12A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 12A，10V12 毫欧 @ 12A，10V15 毫欧 @ 10A，10V17 毫欧 @ 9A，10V21.5 毫欧 @ 10A，10V23 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.2 nC @ 10 V15 nC @ 10 V17 nC @ 10 V25 nC @ 10 V25.1 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
478.9 pF @ 15 V493.5 pF @ 15 V542 pF @ 15 V690 pF @ 15 V1415 pF @ 15 V3000 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.42W（Ta）1.5W（Ta）1.7W（Ta）2.5W（Ta）3.1W（Ta）
供应商器件封装
8-DFN（3x3）8-SO8-SOIC
封装/外壳
8-SMD，扁平引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8,692
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.76477
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
73,217
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.22297
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
542 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMG4496SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
18,131
现货
37,500
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥0.98098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
21.5 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA
10.2 nC @ 10 V
±25V
493.5 pF @ 15 V
-
1.42W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMG4466SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
11,896
现货
17,500
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥0.98098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
478.9 pF @ 15 V
-
1.42W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8 SO
DMN3016LSS-13
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
Diodes Incorporated
11,479
现货
92,500
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.45168
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.3A（Ta）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
25.1 nC @ 10 V
±20V
1415 pF @ 15 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-DFN
AON3414
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8,120
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94725
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.5A（Ta）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 9A，10V
2.4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
690 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（3x3）
8-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。