单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™ 7U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
175A275A(Tj)400A(Ta)455A(Tc)554.5A(Tc)-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.3mOhm @ 200A,10V0.42 毫欧 @ 50A,10V0.44 毫欧 @ 88A,10V0.49 毫欧 @ 50A,10V0.91 毫欧 @ 88A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 60µA2V @ 250µA2.2V @ 330µA3V @ 130µA3V @ 1mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
85 nC @ 10 V124 nC @ 10 V126 nC @ 4.5 V127 nC @ 10 V169 nC @ 10 V295 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5704 pF @ 20 V9444 pF @ 20 V11310 pF @ 20 V16013 pF @ 20 V26910 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
5W129W(Tc)194W(Tc)219W(Tc)750W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-DFNW(8.3x8.4)8-DFN(5x6)L-TOGL™PG-TDSON-8-34PG-TDSON-8-43PG-TDSON-8-53
封装/外壳
8-PowerBSFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8,034
现货
1 : ¥27.17000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.68344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
175A
7V,10V
0.44 毫欧 @ 88A,10V
3V @ 130µA
169 nC @ 10 V
±20V
11310 pF @ 20 V
-
219W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-53
8-PowerTDFN
8-TDFN
NTMTS0D6N04CLTXG
MOSFET N-CH 40V 554.5A
onsemi
922
现货
1 : ¥39.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.42386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
554.5A(Tc)
4.5V,10V
0.42 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
126 nC @ 4.5 V
±20V
16013 pF @ 20 V
-
5W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFNW(8.3x8.4)
8-PowerTDFN
4,384
现货
1 : ¥52.05000
剪切带(CT)
1,500 : ¥26.89339
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
400A(Ta)
6V,10V
0.3mOhm @ 200A,10V
3V @ 1mA
295 nC @ 10 V
±20V
26910 pF @ 10 V
-
750W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
L-TOGL™
8-PowerBSFN
980
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.75943
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
275A(Tj)
4.5V,10V
0.91 毫欧 @ 88A,10V
1.8V @ 60µA
85 nC @ 10 V
±16V
5704 pF @ 20 V
-
129W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
1,000
现货
1 : ¥22.95000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.09600
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
-
10V
-
-
124 nC @ 10 V
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8-43
8-PowerTDFN
8 POWER TDFN
NTMFS0D5N04XLT1G
40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PA
onsemi
1,420
现货
1 : ¥31.69000
剪切带(CT)
1,500 : ¥16.39823
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
455A(Tc)
4.5V,10V
0.49 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 330µA
127 nC @ 10 V
±20V
9444 pF @ 20 V
-
194W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。