单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Littelfuse Inc.Microchip Technology
系列
HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q3 ClassPOWER MOS 8™
漏源电压（Vdss）
1000 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）15A（Tc）20A（Tc）24A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
440 毫欧 @ 12A，10V570 毫欧 @ 10A，10V760 毫欧 @ 500mA，10V980 毫欧 @ 7A，10V1.05 欧姆 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA6.5V @ 1mA6.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 10 V97 nC @ 10 V120 nC @ 10 V140 nC @ 10 V193 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3250 pF @ 25 V3965 pF @ 25 V5140 pF @ 25 V7200 pF @ 25 V11100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
500W（Tc）543W（Tc）690W（Tc）780W（Tc）1000W（Tc）
供应商器件封装
PLUS247™-3TO-247 [B]TO-247AD（IXFH）TO-264AA（IXFK）
封装/外壳
TO-247-3TO-247-3 变式TO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-264
IXFK24N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA
Littelfuse Inc.
1,738
现货
1 : ¥228.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
24A（Tc）
10V
440 毫欧 @ 12A，10V
6.5V @ 4mA
140 nC @ 10 V
±30V
7200 pF @ 25 V
-
1000W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264AA（IXFK）
TO-264-3，TO-264AA
TO-247 Plus X
IXFX20N120P
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
240
现货
1 : ¥217.30000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
20A（Tc）
10V
570 毫欧 @ 10A，10V
6.5V @ 1mA
193 nC @ 10 V
±30V
11100 pF @ 25 V
-
780W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-247_IXFH
IXFH15N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥138.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
15A（Tc）
10V
1.05 欧姆 @ 7.5A，10V
6.5V @ 4mA
64 nC @ 10 V
±30V
3250 pF @ 25 V
-
690W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH15N100P
MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥97.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
15A（Tc）
10V
760 毫欧 @ 500mA，10V
6.5V @ 1mA
97 nC @ 10 V
±30V
5140 pF @ 25 V
-
543W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT14F100B
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Microchip Technology
5
现货
1 : ¥64.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
14A（Tc）
10V
980 毫欧 @ 7A，10V
5V @ 1mA
120 nC @ 10 V
±30V
3965 pF @ 25 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。