单 IGBT

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesRohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-PowerMESH™TrenchStop™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
IGBT 类型
-沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
8 A15 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
12 A30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，4A2.3V @ 15V，4A2.75V @ 15V，3A
功率 - 最大值
36.6 W62 W75 W
开关能量
55µJ（开），85µJ（关）90µJ（开），150µJ（关）100µJ（开），40µJ（关）-
栅极电荷
13.5 nC19 nC24 nC27 nC
25°C 时 Td（开/关）值
4ns/90ns14ns/146ns17ns/69ns17ns/72ns
测试条件
390V，3A，10 欧姆，15V400V，4A，43 欧姆，15V400V，4A，49 欧姆，15V400V，4A，50欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
23.5 ns40 ns43 ns80 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3TO-252
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO252-3
IKD04N60RC2ATMA1
IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Infineon Technologies
14,641
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.95146
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
沟槽型场截止
600 V
8 A
12 A
2.3V @ 15V，4A
36.6 W
100µJ（开），40µJ（关）
标准
24 nC
4ns/90ns
400V，4A，49 欧姆，15V
80 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO252-3
TO252-3
IKD04N60RATMA1
IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Infineon Technologies
4,490
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.17577
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
沟槽型场截止
600 V
8 A
12 A
2.1V @ 15V，4A
75 W
90µJ（开），150µJ（关）
标准
27 nC
14ns/146ns
400V，4A，43 欧姆，15V
43 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TO252-3
RB098BM-40FNSTL
RGT8BM65DTL
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Rohm Semiconductor
2,140
现货
1 : ¥18.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.20455
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
沟槽型场截止
650 V
8 A
12 A
2.1V @ 15V，4A
62 W
-
标准
13.5 nC
17ns/69ns
400V，4A，50欧姆，15V
40 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
MFG_DPAK(TO252-3)
STGD8NC60KDT4
IGBT 600V 15A 62W DPAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.76966
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
600 V
15 A
30 A
2.75V @ 15V，3A
62 W
55µJ（开），85µJ（关）
标准
19 nC
17ns/72ns
390V，3A，10 欧姆，15V
23.5 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK
显示
/ 4

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。