单 IGBT

结果 : 3
制造商
IXYSonsemi
系列
-GenX3™GenX4™, XPT™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
IGBT 类型
PT沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
120 A150 A160 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
225 A300 A430 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.35V @ 15V，32A2V @ 15V，80A2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值
300 W455 W625 W
开关能量
950µJ（开），2.9mJ（关）2.4mJ（开），720µJ（关）3.77mJ（开），1.2mJ（关）
栅极电荷
110 nC120 nC123 nC
25°C 时 Td（开/关）值
25ns/334ns28ns/80ns38ns/120ns
测试条件
400V，75A，3 欧姆，15V400V，80A，3 欧姆，15V480V，32A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
30 ns43.4 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-247-3TO-247AD（IXXH）TO-263（D2PAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3
FGH75T65SHD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
onsemi
601
现货
51,300
工厂
1 : ¥54.67000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
150 A
225 A
2.1V @ 15V，75A
455 W
2.4mJ（开），720µJ（关）
标准
123 nC
28ns/80ns
400V，75A，3 欧姆，15V
43.4 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXXH80N65B4
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
IXYS
2,339
现货
1 : ¥72.49000
管件
管件
在售
PT
650 V
160 A
430 A
2V @ 15V，80A
625 W
3.77mJ（开），1.2mJ（关）
标准
120 nC
38ns/120ns
400V，80A，3 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247AD（IXXH）
TO-263AB
IXGA48N60A3-TRL
IXGA48N60A3 TRL
IXYS
4,745
现货
1 : ¥48.52000
剪切带（CT）
800 : ¥29.28541
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PT
600 V
120 A
300 A
1.35V @ 15V，32A
300 W
950µJ（开），2.9mJ（关）
标准
110 nC
25ns/334ns
480V，32A，5 欧姆，15V
30 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263（D2PAK）
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单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。