IGBT 模块

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesIXYSMicrochip Technology
系列
-CGenX3™
包装
托盘散装管件
产品状态
停产在售
IGBT 类型
PT沟槽型场截止
配置
2 个独立式半桥单路
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150 A280 A310 A320 A460 A
功率 - 最大值
735 W790 W890 W1250 W1600 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.25V @ 15V，100A2.1V @ 15V，200A2.15V @ 15V，150A2.15V @ 15V，300A2.45V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
150 µA350 µA1 mA3 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
14 nF @ 25 V18 nF @ 25 V19 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 125°C（TJ）-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCSP6模块
供应商器件封装
SOT-227BSP6模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
FF300R12KE4HOSA1
FF300R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 460A 1600W
Infineon Technologies
39
现货
1 : ¥1,113.11000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
460 A
1600 W
2.15V @ 15V，300A
5 mA
19 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IXYK1x0xNxxxx
IXGN320N60A3
IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
IXYS
1,404
现货
1 : ¥297.01000
管件
管件
在售
PT
单路
600 V
320 A
735 W
1.25V @ 15V，100A
150 µA
18 nF @ 25 V
标准
无
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227B
IGBT MODULE C SERIES
FF200R17KE3HOSA1
IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Infineon Technologies
35
现货
1 : ¥1,498.45000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1700 V
310 A
1250 W
2.45V @ 15V，200A
3 mA
18 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
模块
模块
APTGT200A120G
APTGT200A120G
IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
Microchip Technology
726
现货
1 : ¥2,029.76000
散装
-
散装
在售
沟槽型场截止
半桥
1200 V
280 A
890 W
2.1V @ 15V，200A
350 µA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SP6
SP6
0
现货
停产
托盘
停产
沟槽型场截止
半桥
1200 V
150 A
790 W
2.15V @ 15V，150A
1 mA
-
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。