单 IGBT

结果 : 4
制造商
IXYSRohm Semiconductor
系列
-BIMOSFET™
IGBT 类型
-沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700 V1800 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
12 A20 A80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
36 A40 A120 A300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.8V @ 15V，42A3.4V @ 15V，6A3.8V @ 15V，10A5V @ 15V，40A
功率 - 最大值
75 W140 W360 W535 W
开关能量
1.85mJ（开），1.6mJ（关）6mJ（关）-
栅极电荷
17 nC30 nC188 nC468 nC
25°C 时 Td（开/关）值
35ns/500ns80ns/565ns-
测试条件
600V，40A，10 欧姆，15V1360V，10A，56 欧姆，15V-
反向恢复时间 (trr)
360 ns1.08 µs1.32 µs
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247ADTO-247N
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-AD-EP-(H)
IXBH42N170
IGBT 1700V 80A TO247AD
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥233.64000
管件
管件
在售
-
1700 V
80 A
300 A
2.8V @ 15V，42A
360 W
-
标准
188 nC
-
-
1.32 µs
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247AD
TO-247N
RGC80TSX8RGC11
IGBT TRENCH FLD 1800V 80A TO247N
Rohm Semiconductor
5
现货
1 : ¥77.17000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
1800 V
80 A
120 A
5V @ 15V，40A
535 W
1.85mJ（开），1.6mJ（关）
标准
468 nC
80ns/565ns
600V，40A，10 欧姆，15V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247N
TO-247-AD-EP-(H)
IXBH6N170
IGBT 1700V 12A TO247AD
IXYS
0
现货
570
工厂
查看交期
1 : ¥95.56000
管件
管件
在售
-
1700 V
12 A
36 A
3.4V @ 15V，6A
75 W
-
标准
17 nC
-
-
1.08 µs
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247AD
TO-247-AD-EP-(H)
IXBH10N170
IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥94.49000
管件
管件
在售
-
1700 V
20 A
40 A
3.8V @ 15V，10A
140 W
6mJ（关）
标准
30 nC
35ns/500ns
1360V，10A，56 欧姆，15V
360 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247AD
显示
/ 4

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。