单 IGBT

结果 : 4
系列
TrenchStop®TrenchStop™TrenchStop™ 5
IGBT 类型
-沟槽型场截止沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A38 A55 A74 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A90 A120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，28A2.1V @ 15V，30A2.1V @ 15V，40A2.3V @ 15V，15A
功率 - 最大值
130 W188 W200 W255 W
开关能量
280µJ（开），100µJ（关）360µJ（开），100µJ（关）530µJ（开），400µJ（关）700µJ（开），550µJ（关）
栅极电荷
50 nC70 nC92 nC95 nC
25°C 时 Td（开/关）值
18ns/240ns19ns/160ns19ns/177ns27ns/184ns
测试条件
400V，15A，23 欧姆，15V400V，20A，15 欧姆，15V400V，28A，34 欧姆，15V600V，15A，22 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
51 ns60 ns73 ns340 ns
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO247-3-41
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
606
现货
1 : ¥29.56000
管件
管件
在售
-
650 V
74 A
120 A
2.1V @ 15V，40A
255 W
360µJ（开），100µJ（关）
标准
95 nC
19ns/160ns
400V，20A，15 欧姆，15V
60 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
PG-TO220-3
TO-220-3
IKP30N65H5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
50 : ¥18.05840
管件
管件
在售
沟道
650 V
55 A
90 A
2.1V @ 15V，30A
188 W
280µJ（开），100µJ（关）
标准
70 nC
19ns/177ns
400V，15A，23 欧姆，15V
51 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
PG-TO220-3
0
现货
查看交期
50 : ¥20.27180
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
38 A
90 A
1.9V @ 15V，28A
130 W
530µJ（开），400µJ（关）
标准
50 nC
27ns/184ns
400V，28A，34 欧姆，15V
73 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
PG-TO220-3
TO-247-3 AC EP
IKW15N120BH6XKSA1
IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
30 : ¥20.90767
管件
管件
在售
沟槽型场截止
1200 V
30 A
60 A
2.3V @ 15V，15A
200 W
700µJ（开），550µJ（关）
标准
92 nC
18ns/240ns
600V，15A，22 欧姆，15V
340 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3-41
显示
/ 4

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。