单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Good-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-HU-MOSX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）17A26A（Tc）34A（Tc）35A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.4mOhm @ 13A，10V11.5 毫欧 @ 10A，10V19 毫欧 @ 17A，10V22 毫欧 @ 12A，10V38 毫欧 @ 10A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA3.5V @ 200µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.6 nC @ 10 V12 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18.77 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-12V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
740 pF @ 20 V957 pF @ 30 V1030 pF @ 50 V1400 pF @ 40 V1625 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
610mW（Ta），61W（Tc）630mW（Ta），57W（Tc）21W32.5W（Tc）34.7W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C-
供应商器件封装
8-PPAK（3.05x3.08）8-PPAK（5.1x5.71）8-TSON Advance（3.1x3.1）MLPAK33
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
21,942
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.85735
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
26A（Tc）
4.5V，10V
11.4mOhm @ 13A，10V
2.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW（Ta），61W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
10,702
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.98345
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
34A（Tc）
6V，10V
19 毫欧 @ 17A，10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW（Ta），57W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
8-Power VDFN
PXN040-100QSJ
N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA
Nexperia USA Inc.
5,519
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80197
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A
-
-
-
6.6 nC @ 10 V
-
-
-
21W
-
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
8-Power VDFN
PXN012-60QLJ
PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
33,466
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61365
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
42A（Tc）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
18.77 nC @ 10 V
±20V
957 pF @ 30 V
-
34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
SSFN2603
GSFN0988
MOSFET, N-CH, SINGLE, 16A, 100V,
Good-Ark Semiconductor
4,865
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54231
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
16A（Tc）
4.5V，10V
38 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
+20V，-12V
740 pF @ 20 V
-
32.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PPAK（3.05x3.08）
8-PowerVDFN
GSFP1040
GSFP1036
MOSFET, N-CH, SINGLE, 35A, 100V,
Good-Ark Semiconductor
5,968
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.92374
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1030 pF @ 50 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PPAK（5.1x5.71）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。