RF FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-ART
频率
1MHz ~ 400MHz400MHz
额定电流（安培）
1.4µA2.8µA
电流 - 测试
100 mA600 mA
封装/外壳
SOT-539ASOT-539AN
供应商器件封装
SOT539ASOT539AN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT539A
ART2K0FEU
RF MOSFET LDMOS 65V SOT539A
Ampleon USA Inc.
181
现货
1 : ¥1,853.92000
托盘
-
托盘
在售
LDMOS
双，共源
400MHz
28.9dB
65 V
2.8µA
-
100 mA
2000W
200 V
-
-
底座安装
SOT-539A
SOT539A
ART2K0FESU
ART2K0FESU
RF MOSFET LDMOS 65V SOT539AN
Ampleon USA Inc.
47
现货
1 : ¥1,853.92000
托盘
托盘
在售
LDMOS
双，共源
1MHz ~ 400MHz
28.9dB
65 V
1.4µA
-
600 mA
2000W
200 V
-
-
底座安装
SOT-539AN
SOT539AN
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。