单 FET，MOSFET

结果 : 5
漏源电压（Vdss）
650 V750 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
65A（Tc）66A（Tc）81A（Tc）85A（Tc）120A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 50A，12V23 毫欧 @ 20A，12V29 毫欧 @ 40A，12V35 毫欧 @ 50A，12V45毫欧 @ 40A，12V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37.8 nC @ 15 V43 nC @ 12 V214 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 400 V1422 pF @ 100 V1500 pF @ 100 V8360 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
306W（Tc）385W（Tc）429W（Tc）441W（Tc）789W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4L
UJ4C075023K4S
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
762
现货
1 : ¥123.96000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
66A（Tc）
12V
29 毫欧 @ 40A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
306W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C065030K4S
MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Qorvo
1,955
现货
1 : ¥156.22000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
85A（Tc）
12V
35 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
441W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3SC065007K4S
MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Qorvo
1,682
现货
1 : ¥610.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
650 V
120A（Tc）
12V
9 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
214 nC @ 15 V
±20V
8360 pF @ 100 V
-
789W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075018K4S
SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Qorvo
500
现货
1 : ¥151.87000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
81A（Tc）
-
23 毫欧 @ 20A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
385W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Qorvo
806
现货
1 : ¥220.83000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
1200 V
65A（Tc）
12V
45毫欧 @ 40A，12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
429W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。