单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Ta）9.9A（Ta）10.5A（Ta）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 12A，10V14 毫欧 @ 11.6A，10V14.6 毫欧 @ 9.9A，4.5V23 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
542 pF @ 15 V635 pF @ 15 V1025 pF @ 25 V1200 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）3.1W（Ta）
供应商器件封装
8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS8884
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
onsemi
13,199
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.89057
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.5A（Ta）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8.5A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
73,217
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02623
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
542 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
AO4468
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
18,583
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.44321
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.5A（Ta）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 11.6A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRL6342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
Infineon Technologies
13,940
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.77596
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9.9A（Ta）
2.5V，4.5V
14.6 毫欧 @ 9.9A，4.5V
1.1V @ 10µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
1025 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。