单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
技术
SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）39A（Tc）40A（Tc）70A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
39 毫欧 @ 27A，18V59 毫欧 @ 17A，18V69 毫欧 @ 20A，18V78 毫欧 @ 13A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 8.89mA5V @ 1.6mA5.6V @ 13.3mA5.6V @ 6.67mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 18 V58 nC @ 18 V63 nC @ 18 V104 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+21V，-4V+22V，-4V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
852 pF @ 500 V1362 pF @ 400 V1460 pF @ 500 V1526 pF @ 500 V
功率耗散（最大值）
115W132W（Tc）165W（Tc）262W（Tc）
工作温度
175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247-4LTO-247-4L（X）TO-247N
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
9,088
现货
1 : ¥245.80000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
70A（Tc）
18V
39 毫欧 @ 27A，18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V，-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4045DRC15
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
4,859
现货
1 : ¥116.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
750 V
34A（Tc）
18V
59 毫欧 @ 17A，18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V，-4V
1460 pF @ 500 V
-
115W
175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
TW048Z65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
Toshiba Semiconductor and Storage
265
现货
1 : ¥114.86000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
650 V
40A（Tc）
18V
69 毫欧 @ 20A，18V
5V @ 1.6mA
41 nC @ 18 V
+25V，-10V
1362 pF @ 400 V
-
132W（Tc）
175°C
通孔
TO-247-4L（X）
TO-247-4
TO-247N
SCT3060ALGC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥111.98000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
39A（Tc）
18V
78 毫欧 @ 13A，18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V，-4V
852 pF @ 500 V
-
165W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-247N
TO-247-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。