IGBT 模块

结果 : 2
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
247 A372 A
功率 - 最大值
517 W789 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.32V @ 15V，100A1.32V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）
100 µA150 µA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
15
现货
1 : ¥685.48000
盒
盒
在售
沟道
半桥逆变器
650 V
247 A
517 W
1.32V @ 15V，100A
100 µA
标准
无
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
INT-A-PAK IGBT
15
现货
1 : ¥804.02000
盒
盒
在售
沟道
半桥逆变器
650 V
372 A
789 W
1.32V @ 15V，150A
150 µA
标准
无
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
INT-A-PAK IGBT
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。