单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5TrenchFET® Gen VU-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Ta）40A（Ta），479A（Tc）42A（Ta），433A（Tc）65A（Ta），464A（Tc）66A（Ta），700A（Tc）75A（Ta），789A（Tc）79.8A（Ta），553.8A（Tc）85.9A（Ta），350.8A（Tc）300A（Tc）380A（Tc）400A（Ta）519A（Tc）554.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.29 毫欧 @ 50A，10V0.3mOhm @ 200A，10V0.35 毫欧 @ 50A，10V0.4 毫欧 @ 150A，10V0.4 毫欧 @ 50A，10V0.42 毫欧 @ 50A，10V0.45 毫欧 @ 30A，10V0.47 毫欧 @ 20A，10V0.52 毫欧 @ 30A，10V0.55 毫欧 @ 50A，10V0.57 毫欧 @ 25A，10V0.58mOhm @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1.448mA2V @ 1.46mA2V @ 10mA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.2V @ 2mA2.2V @ 330µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3.5V @ 330µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
113 nC @ 10 V122 nC @ 10 V126 nC @ 4.5 V128 nC @ 10 V138 nC @ 10 V163 nC @ 4.5 V178 nC @ 10 V180 nC @ 10 V224.9 nC @ 10 V238 nC @ 10 V254 nC @ 10 V262 nC @ 10 V295 nC @ 10 V341 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+16V，-12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6990 pF @ 12 V8000 pF @ 15 V8550 pF @ 25 V8900 pF @ 15 V8960 pF @ 15 V11000 pF @ 12.5 V13000 pF @ 15 V16013 pF @ 20 V17000 pF @ 12 V18000 pF @ 15 V18500 pF @ 15 V20600 pF @ 20 V24000 pF @ 15 V26910 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）2.5W（Ta），188W（Tc）2.5W（Ta），278W（Tc）3W（Ta），188W（Tc）3.8W（Ta），300W（Tc）3.9W（Ta），200W（Tc）5W5W（Ta），244W（Tc）6.25W（Ta），104.1W（Tc）197W（Tc）333W（Tc）750W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-DFN（5x6）8-DFNW（8.3x8.4）L-TOGL™LFPAK56; Power-SO8PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8PG-TDSON-8 FLPG-TSON-8-9PG-TTFN-9-U02PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线9-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SOT-1023，4-LFPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5,411
现货
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.05562
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
40A（Ta），479A（Tc）
4.5V，10V
0.45 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 10mA
238 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 12.5 V
-
2.5W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8-TDFN
NTMTS0D6N04CLTXG
MOSFET N-CH 40V 554.5A
onsemi
539
现货
1 : ¥39.90000
剪切带（CT）
3,000 : ¥19.42511
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
554.5A（Tc）
4.5V，10V
0.42 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
126 nC @ 4.5 V
±20V
16013 pF @ 20 V
-
5W
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
x-xSOF-8-1
IPT004N03LATMA1
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
2,689
现货
1 : ¥48.68000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.68024
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300A（Tc）
4.5V，10V
0.4 毫欧 @ 150A，10V
2.2V @ 250µA
163 nC @ 4.5 V
±20V
24000 pF @ 15 V
-
3.8W（Ta），300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
4,343
现货
1 : ¥52.05000
剪切带（CT）
1,500 : ¥26.89511
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
400A（Ta）
6V，10V
0.3mOhm @ 200A，10V
3V @ 1mA
295 nC @ 10 V
±20V
26910 pF @ 10 V
-
750W（Tc）
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
L-TOGL™
8-PowerBSFN
PowerPAK SO-8 Single
SIR500DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Vishay Siliconix
7,044
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.83730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
85.9A（Ta），350.8A（Tc）
4.5V，10V
0.47 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
180 nC @ 10 V
+16V，-12V
8960 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），104.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5,862
现货
1 : ¥20.85000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.05562
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
42A（Ta），433A（Tc）
4.5V，10V
0.55 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
122 nC @ 10 V
±20V
8900 pF @ 15 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
4,393
现货
1 : ¥21.35000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.25729
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
42A（Ta），433A（Tc）
4.5V，10V
0.55 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 10mA
128 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 15 V
-
3W（Ta），188W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PSMNxRx-xxYx,115
PSMNR51-25YLHX
MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,351
现货
1 : ¥26.52000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.70245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
380A（Tc）
4.5V，10V
0.57 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 2mA
113 nC @ 10 V
±20V
6990 pF @ 12 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56; Power-SO8
SOT-1023，4-LFPAK
8-PowerTDFN
NVMFWS0D4N04XMT1G
40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
onsemi
1,128
现货
1 : ¥39.24000
剪切带（CT）
1,500 : ¥20.29919
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
519A（Tc）
10V
0.42 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 330µA
138 nC @ 10 V
±20V
8550 pF @ 25 V
-
197W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-TDFN
NTMTS0D4N04CLTXG
MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW
onsemi
1,179
现货
1 : ¥49.67000
剪切带（CT）
3,000 : ¥24.19155
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
79.8A（Ta），553.8A（Tc）
4.5V，10V
0.4 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 250µA
341 nC @ 10 V
±20V
20600 pF @ 20 V
-
5W（Ta），244W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS0D5N03CT1G
MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
onsemi
4,455
现货
1 : ¥23.64000
剪切带（CT）
1,500 : ¥12.23244
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
65A（Ta），464A（Tc）
4.5V，10V
0.52 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 330µA
178 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 15 V
-
3.9W（Ta），200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
1,250
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
1,500 : ¥12.47327
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Ta）
10V
0.58mOhm @ 30A，10V
2.2V @ 330µA
224.9 nC @ 10 V
±20V
18500 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
4,884
现货
1 : ¥31.36000
剪切带（CT）
5,000 : ¥14.64847
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
75A（Ta），789A（Tc）
4.5V，10V
0.29 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 1.448mA
254 nC @ 10 V
±16V
17000 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-9
8-PowerTDFN
4,900
现货
1 : ¥33.75000
剪切带（CT）
5,000 : ¥15.77429
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
66A（Ta），700A（Tc）
4.5V，10V
0.35 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 1.46mA
262 nC @ 10 V
±20V
18000 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-9
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥31.36000
剪切带（CT）
5,000 : ¥15.15003
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
75A（Ta），789A（Tc）
4.5V，10V
0.29 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 1.448mA
254 nC @ 10 V
±16V
17000 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。