RF FET，MOSFET

结果 : 5
增益
14dB14.5dB17dB
额定电流（安培）
2.5A4A5A7A
电流 - 测试
50 mA150 mA200 mA
功率 - 输出
3W8W15W25W
封装/外壳
PowerSO-10 裸露底部焊盘PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
供应商器件封装
10-PowerSOPowerSO-10RF（成形引线）PowerSO-10RF（直引线）
库存选项
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
封装/外壳
供应商器件封装
PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD55008-E
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
STMicroelectronics
319
现货
1 : ¥139.07000
管件
-
管件
在售
LDMOS
500MHz
17dB
12.5 V
4A
-
150 mA
8W
40 V
PowerSO-10 裸露底部焊盘
10-PowerSO
PowerSO-10RF (Straight Lead)
PD55025S-E
RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
STMicroelectronics
339
现货
1 : ¥245.87000
管件
-
管件
在售
LDMOS
500MHz
14.5dB
12.5 V
7A
-
200 mA
25W
40 V
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerSO-10RF（直引线）
PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD55025-E
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
STMicroelectronics
60
现货
1 : ¥245.87000
管件
-
管件
在售
LDMOS
500MHz
14.5dB
12.5 V
7A
-
200 mA
25W
40 V
PowerSO-10 裸露底部焊盘
10-PowerSO
PowerSO-10RF (Formed Lead)
PD55003-E
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥97.94000
管件
-
管件
在售
LDMOS
500MHz
17dB
12.5 V
2.5A
-
50 mA
3W
40 V
PowerSO-10 裸露底部焊盘
10-PowerSO
PD57070-E
PD55015-E
RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥174.28000
管件
-
管件
在售
LDMOS
500MHz
14dB
12.5 V
5A
-
150 mA
15W
40 V
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
PowerSO-10RF（成形引线）
显示
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。