FET、MOSFET 阵列

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyWolfspeed, Inc.
系列
-EasyPACK™, CoolSiC™
包装
托盘散装
配置
2 N 沟道(相角)4 N 沟道(全桥)4 个 N 通道(三级反相器)
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)1700V(1.7kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
64A(Tc)105A(Tj)124A(Tc)179A(Tc)181A(Tc)238A(Tc)400A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.27 毫欧 @ 400A,18V11.3 毫欧 @ 120A,20V14 毫欧 @ 100A,15V15 毫欧 @ 90A,20V22.5 毫欧 @ 60A,20V45 毫欧 @ 30A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.2V @ 10mA3.2V @ 2.5mA3.2V @ 5mA3.2V @ 7.5mA3.6V @ 35mA5.15V @ 224mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
178nC @ 20V324nC @ 15V356nC @ 20V534nC @ 20V712nC @ 20V1600nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3300pF @ 1000V6600pF @ 1000V9900pF @ 1000V10300pF @ 800V13200pF @ 1000V48400pF @ 800V
功率 - 最大值
319W(Tc)602W(Tc)843W(Tc)862W(Tc)1.114kW(Tc)1114W(Tc)-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
-AG-EASY3BSP3FSP6C
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
CCB032M12FM3
CBB021M12FM3
SIC 4N-CH 1200V 105A MODULE
Wolfspeed, Inc.
29
现货
1 : ¥1,441.24000
托盘
-
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1200V(1.2kV)
105A(Tj)
14 毫欧 @ 100A,15V
3.6V @ 35mA
324nC @ 15V
10300pF @ 800V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
模块
-
9
现货
1 : ¥4,834.47000
托盘
托盘
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1200V(1.2kV)
400A(Tj)
2.27 毫欧 @ 400A,18V
5.15V @ 224mA
1600nC @ 18V
48400pF @ 800V
-
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
AG-EASY3B
8
现货
1 : ¥4,871.82000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1700V(1.7kV)
124A(Tc)
22.5 毫欧 @ 60A,20V
3.2V @ 5mA
356nC @ 20V
6600pF @ 1000V
602W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
CAG Module
MSCSM170TLM15CAG
SIC 4N-CH 1700V 179A SP6C
Microchip Technology
5
现货
1 : ¥5,953.64000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道(三级反相器)
-
1700V(1.7kV)
179A(Tc)
15 毫欧 @ 90A,20V
3.2V @ 7.5mA
534nC @ 20V
9900pF @ 1000V
843W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
SP6C
CAG Module
MSCSM170TLM11CAG
SIC 4N-CH 1700V 238A SP6C
Microchip Technology
5
现货
1 : ¥7,419.92000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道(三级反相器)
-
1700V(1.7kV)
238A(Tc)
11.3 毫欧 @ 120A,20V
3.2V @ 10mA
712nC @ 20V
13200pF @ 1000V
1114W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
SP6C
9
现货
1 : ¥10,462.83000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1700V(1.7kV)
238A(Tc)
11.3 毫欧 @ 120A,20V
3.2V @ 10mA
712nC @ 20V
13200pF @ 1000V
1.114kW(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
0
现货
查看交期
1 : ¥2,632.00000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 N 沟道(全桥)
-
1700V(1.7kV)
64A(Tc)
45 毫欧 @ 30A,20V
3.2V @ 2.5mA
178nC @ 20V
3300pF @ 1000V
319W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
MSCSM170TLM23C3AG
MSCSM170TLM23C3AG
SIC 4N-CH 1700V 124A SP3F
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥3,410.14000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
4 个 N 通道(三级反相器)
-
1700V(1.7kV)
124A(Tc)
22.5 毫欧 @ 60A,20V
3.2V @ 5mA
356nC @ 20V
6600pF @ 1000V
602W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
SP3F
0
现货
查看交期
1 : ¥3,756.43000
散装
-
散装
在售
碳化硅(SiC)
2 N 沟道(相角)
-
1700V(1.7kV)
181A(Tc)
15 毫欧 @ 90A,20V
3.2V @ 7.5mA
534nC @ 20V
9900pF @ 1000V
862W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
模块
-
显示
/ 9

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。