FET、MOSFET 阵列
结果 : 9
制造商
系列
包装
配置
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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29 现货 | 1 : ¥1,441.24000 托盘 | - | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 N 沟道(全桥) | - | 1200V(1.2kV) | 105A(Tj) | 14 毫欧 @ 100A,15V | 3.6V @ 35mA | 324nC @ 15V | 10300pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | - | ||
9 现货 | 1 : ¥4,834.47000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 N 沟道(全桥) | - | 1200V(1.2kV) | 400A(Tj) | 2.27 毫欧 @ 400A,18V | 5.15V @ 224mA | 1600nC @ 18V | 48400pF @ 800V | - | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | AG-EASY3B | |||
8 现货 | 1 : ¥4,871.82000 散装 | - | 散装 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 N 沟道(全桥) | - | 1700V(1.7kV) | 124A(Tc) | 22.5 毫欧 @ 60A,20V | 3.2V @ 5mA | 356nC @ 20V | 6600pF @ 1000V | 602W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | - | ||
5 现货 | 1 : ¥5,953.64000 散装 | - | 散装 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 个 N 通道(三级反相器) | - | 1700V(1.7kV) | 179A(Tc) | 15 毫欧 @ 90A,20V | 3.2V @ 7.5mA | 534nC @ 20V | 9900pF @ 1000V | 843W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | SP6C | ||
5 现货 | 1 : ¥7,419.92000 散装 | - | 散装 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 个 N 通道(三级反相器) | - | 1700V(1.7kV) | 238A(Tc) | 11.3 毫欧 @ 120A,20V | 3.2V @ 10mA | 712nC @ 20V | 13200pF @ 1000V | 1114W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | SP6C | ||
9 现货 | 1 : ¥10,462.83000 散装 | - | 散装 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 N 沟道(全桥) | - | 1700V(1.7kV) | 238A(Tc) | 11.3 毫欧 @ 120A,20V | 3.2V @ 10mA | 712nC @ 20V | 13200pF @ 1000V | 1.114kW(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | - | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥2,632.00000 散装 | - | 散装 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 N 沟道(全桥) | - | 1700V(1.7kV) | 64A(Tc) | 45 毫欧 @ 30A,20V | 3.2V @ 2.5mA | 178nC @ 20V | 3300pF @ 1000V | 319W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | - | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥3,410.14000 散装 | - | 散装 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 4 个 N 通道(三级反相器) | - | 1700V(1.7kV) | 124A(Tc) | 22.5 毫欧 @ 60A,20V | 3.2V @ 5mA | 356nC @ 20V | 6600pF @ 1000V | 602W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | SP3F | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥3,756.43000 散装 | - | 散装 | 在售 | 碳化硅(SiC) | 2 N 沟道(相角) | - | 1700V(1.7kV) | 181A(Tc) | 15 毫欧 @ 90A,20V | 3.2V @ 7.5mA | 534nC @ 20V | 9900pF @ 1000V | 862W(Tc) | -40°C ~ 175°C(TJ) | 底座安装 | 模块 | - |
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