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FET、MOSFET 阵列
结果 : 2
制造商
系列
包装
技术
配置
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
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市场产品
2结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 62 现货 | 1 : ¥1,483.61000 托盘 | 托盘 | 在售 | 碳化硅（SiC） | 6 N-沟道（3 相桥） | - | 1200V（1.2kV） | 40A | 42.6 毫欧 @ 30A，15V | 3.6V @ 11.5mA | 118nC @ 15V | 3400pF @ 800V | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | 模块 | - | ||
 | 12 现货 | 1 : ¥2,930.27000 散装 | - | 散装 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 N 通道（半桥） | - | 200V | 372A | 5 毫欧 @ 186A，10V | 5V @ 10mA | 560nC @ 10V | 28900pF @ 25V | 1250W | -40°C ~ 150°C（TJ） | 底座安装 | SP6 | SP6 |
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