存储器

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMoSys, Inc.
系列
-GL-S
产品状态
停产在售
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
RAM闪存
技术
FLASH - NORSRAM,RLDRAM
存储容量
1Gb2Gb
存储器组织
128M x 16144M x 8
访问时间
2.7 ns120 ns
电压 - 供电
1.65V ~ 3.6V-
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)-
封装/外壳
64-LBGA2512-BGA,FCBGA
供应商器件封装
64-FBGA(13x11)2512-FCBGA(27x27)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
64-LBGA
S70GL02GS12FHIV10
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
Infineon Technologies
1,352
现货
1 : ¥214.26000
托盘
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
2Gb
128M x 16
并联
-
120 ns
1.65V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
64-LBGA
64-FBGA(13x11)
18
现货
1 : ¥5,689.41000
托盘
-
托盘
停产
未验证
易失
RAM
SRAM,RLDRAM
1Gb
144M x 8
并联
-
2.7 ns
-
-
表面贴装型
2512-BGA,FCBGA
2512-FCBGA(27x27)
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。