单双极晶体管

结果 : 3
制造商
onsemiSTMicroelectronics
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1 A3 A15 A
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
700mV @ 125mA,1A1.2V @ 375mA,3A3.5V @ 5A,15A
电流 - 集电极截止(最大值)
300µA1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
15 @ 1A,4V20 @ 5A,4V100 @ 20mA,4V
功率 - 最大值
1.8 W2 W40 W
频率 - 跃迁
5MHz-
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-220-3
TIP29A
TRANS NPN 60V 1A TO220
STMicroelectronics
2,055
现货
1 : ¥5.25000
管件
-
管件
在售
NPN
1 A
60 V
700mV @ 125mA,1A
300µA
15 @ 1A,4V
2 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
2ST31A
TRANS NPN 60V 3A TO220
STMicroelectronics
2,212
现货
1 : ¥5.83000
管件
-
管件
在售
NPN
3 A
60 V
1.2V @ 375mA,3A
300µA
100 @ 20mA,4V
40 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
2N6487G
TRANS NPN 60V 15A TO220
onsemi
405
现货
1 : ¥8.13000
管件
-
管件
在售
NPN
15 A
60 V
3.5V @ 5A,15A
1mA
20 @ 5A,4V
1.8 W
5MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
显示
/ 3

单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。