单双极晶体管

结果 : 5
制造商
Central Semiconductor Corponsemi
产品状态
停产在售
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1 A3 A4 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V60 V80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
600mV @ 100mA,1A1.4V @ 1A,4A1.7V @ 600mA,3A2.5V @ 800mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)100µA500µA1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
25 @ 1.5A,2V30 @ 500mA,1V40 @ 200mA,3V50 @ 100mA,1V
功率 - 最大值
1.5 W15 W30 W40 W
频率 - 跃迁
2MHz3MHz50MHz
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-126
2N4922G
TRANS NPN 60V 1A TO126
onsemi
2,567
现货
1 : ¥5.99000
散装
-
散装
在售
NPN
1 A
60 V
600mV @ 100mA,1A
500µA
30 @ 500mA,1V
30 W
3MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126
TO-126
BD787G
TRANS NPN 60V 4A TO126
onsemi
741
现货
1 : ¥6.32000
散装
-
散装
在售
NPN
4 A
60 V
2.5V @ 800mA,4A
100µA
40 @ 200mA,3V
15 W
50MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126
TO-126
MJE172G
TRANS PNP 80V 3A TO126
onsemi
1,071
现货
1 : ¥6.57000
散装
-
散装
在售
PNP
3 A
80 V
1.7V @ 600mA,3A
100nA(ICBO)
50 @ 100mA,1V
1.5 W
50MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126
2,330
现货
1 : ¥10.51000
散装
-
散装
在售
PNP
4 A
60 V
1.4V @ 1A,4A
1mA
25 @ 1.5A,2V
40 W
2MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126
TO-126
2N4918G
TRANS PNP 40V 1A TO126
onsemi
324
现货
1 : ¥6.73000
散装
-
散装
停产
PNP
1 A
40 V
600mV @ 100mA,1A
500µA
30 @ 500mA,1V
30 W
3MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-225AA,TO-126-3
TO-126
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。