单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchFET® GenIV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
243A(Tc)253A(Tc)278A(Tc)293A(Tc)330A(Tc)380A(Tc)460A(Tc)504A(Tc)553.8A(Tc)575A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 50A,10V0.6 毫欧 @ 15A,10V0.67 毫欧 @ 25A,10V0.9 毫欧 @ 20A,10V1.24 毫欧 @ 20A,10V1.8 毫欧 @ 15A,10V2.14 毫欧 @ 15A,10V2.5 毫欧 @ 15A,10V2.9 毫欧 @ 15A,10V3 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA2.2V @ 2mA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
65 nC @ 10 V81 nC @ 10 V84 nC @ 10 V87 nC @ 10 V130 nC @ 10 V145 nC @ 10 V163 nC @ 4.5 V188 nC @ 10 V294 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3620 pF @ 25 V4665 pF @ 25 V4715 pF @ 25 V5485 pF @ 25 V6111 pF @ 25 V6160 pF @ 15 V6975 pF @ 25 V9020 pF @ 25 V15398 pF @ 25 V20600 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
5W(Ta)214W(Tc)255W(Tc)266W(Tc)312W(Tc)333W(Tc)500W(Tc)600W(Tc)
供应商器件封装
8-DFNW(8.3x8.4)LFPAK56,Power-SO8PowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8SW
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8SOT-1023,4-LFPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
SQJ138EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
1,764
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.36237
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
330A(Tc)
10V
1.8 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
4715 pF @ 25 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8L
SQJ154EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
1,234
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.80730
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
243A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SQJA16EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
6,176
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62849
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
278A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±20V
5485 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-1023
PSMNR58-30YLHX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
22,500
现货
1 : ¥26.52000
剪切带(CT)
1,500 : ¥13.70271
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
380A(Tc)
4.5V,10V
0.67 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 2mA
188 nC @ 10 V
±20V
6160 pF @ 15 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
PowerPAK SO-8L_Top
SQJ140ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
11,980
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.51355
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
253A(Tc)
4.5V,10V
2.14 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
4665 pF @ 25 V
-
255W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8L
SQJ174EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
5,905
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.68383
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
293A(Tc)
10V
2.9 毫欧 @ 15A,10V
3.5V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
6111 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
SQJQ142E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
2,735
现货
1 : ¥19.87000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.97097
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
460A(Tc)
10V
1.24 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
6975 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK-8x8LR
SQJQ144AER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
959
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.78154
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
575A(Tc)
10V
0.9 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
9020 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
SQRS140ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
4,608
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.46612
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
504A(Tc)
4.5V,10V
0.6 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
294 nC @ 10 V
±20V
15398 pF @ 25 V
-
266W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8SW
PowerPAK® SO-8
8-TDFN
NVMTS0D4N04CLTXG
MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
onsemi
90
现货
1 : ¥84.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥44.86843
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
553.8A(Tc)
4.5V,10V
0.4 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 250µA
163 nC @ 4.5 V
±20V
20600 pF @ 20 V
-
5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-DFNW(8.3x8.4)
8-PowerTDFN
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。