单 FET，MOSFET

结果 : 2
产品状态
不适用于新设计在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Tc）13A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
550 毫欧 @ 4.5A，10V3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.8 nC @ 10 V92 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
311 pF @ 25 V2030 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
20W（Tc）150W（Tc）
供应商器件封装
TO-220FPTO-247-3
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220FP
STP3NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
STMicroelectronics
1,488
现货
1 : ¥14.04000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
2.4A（Tc）
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
4.5V @ 50µA
11.8 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW13NK60Z
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
600 : ¥23.55715
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
13A（Tc）
10V
550 毫欧 @ 4.5A，10V
4.5V @ 100µA
92 nC @ 10 V
±30V
2030 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。