RF FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
增益
20.4dB20.6dB
功率 - 输出
650W750W
封装/外壳
NI-1230-4SSOT-979A
供应商器件封装
NI-1230-4HNI-1230-4S
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增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
MRF13750HS
MRF13750HSR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
NXP USA Inc.
0
现货
查看交期
50 : ¥1,487.00840
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
LDMOS
-
700MHz ~ 1.3GHz
20.4dB
50 V
10µA
-
200 mA
750W
105 V
底座安装
NI-1230-4S
NI-1230-4S
NI-1230H-4S
MRF13750HR5
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
NXP USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥1,579.64000
剪切带（CT）
50 : ¥1,479.51000
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
LDMOS
双
700MHz ~ 1.3GHz
20.6dB
50 V
10µA
-
-
650W
105 V
底座安装
SOT-979A
NI-1230-4H
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。